[发明专利]电参数的调节装置有效
申请号: | 201110233628.2 | 申请日: | 2011-08-15 |
公开(公告)号: | CN102938288A | 公开(公告)日: | 2013-02-20 |
发明(设计)人: | 阎跃军 | 申请(专利权)人: | 阎跃军 |
主分类号: | H01F21/00 | 分类号: | H01F21/00;H01G5/00;H01C10/00;H03H7/24 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518055 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 参数 调节 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种电参数的调节装置,它主要适用于各种电子电路、射频电路及其系统等领域。
背景技术
在电子部件领域,各种可变电感、可变电容、可变电阻和可变衰减器已被广泛地使用。在电子电路,尤其是射频电路里,对这些可变器件要求其体积更小,信号接入端的尺寸更短,这样其射频特性才可做的更好,用途才会更广。本人于2008年7月28日,申请了发明专利一种电参数的调节装置,专利申请号:20081044258.3。它虽然实现了射频器件的可调,并且能够使被调节器件的射频信号所经过的路径最短,这样可以减少射频损耗。但实际应用中,发现对于双端口器件,其一端直接接地时,即并联接入调节时,现有发明的接入不方便,且占用电路的面积较大。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种电参数的调节装置,最大限度地缩短被调节的电路的电长度,减少信号的损耗,精确地改变电参数。
为解决上述技术问题,本发明所采用的技术方案是:提供一种电参数的调节装置,其包括:基体、制作在该基体上至少两个接入端子和接地端、定位体、第一器件,其特征在于:至少有一个接入端子与一个第二器件的一端相连接,该第一器件的另一端与接地端相连接,该定位体上制作有一个信号接入端子和接地端,该基体上的接入端子与该定位体上的信号接入端子相接触,该基体上的接地端与该定位体上的接地端相接触,通过改变该基体的位置,使该基体上的下一个接入端子依次与该信号接入端子相接触,该基体上的接地端始终保持与该定位体的接地端相接触。
本发明的有益效果是:最大限度地缩短被调节的电路的电长度,即缩短射频电路的信号接入尺寸,减少传输距离对信号的不必要地损耗和对被接入器件的电性能的影响,从而能最大限度地发挥被接入器件的电器性能,其射频频率特性可制作的更好,体积小。可以精确地改变电参数。
因此本发明具有以下优点:
a.信号接入尺寸(距离)小,电路的插入损耗低。
b.使用方便,制造成本低。
c.调节方便,适用于电感、电容、电阻(负载)、滤波器、移相器的调节。
附图说明
图1a是本发明的第一实施例的电参数的调节装置的基体表层电路结构示意图。
图1b是本发明的第一实施例的电参数的调节装置的基体底层电路结构示意图。
图1c是第一器件的一个示意图
图2是本发明的第一实施例的电参数的调节装置的定位体的结构示意图。
图3是本发明的第一实施例的电参数的调节装置的定位体与基体的组合结构示意图。
图4是本发明的第一实施例变位体的结构示意图。
图5是本发明的第一实施例的电参数的调节装置的组合结构示意图。
具体实施方式
请参阅图1a,它是本发明的第一实施例的电参数的调节装置的基体表层电路结构示意图。该基体4可以是PCB板(树脂基板)、陶瓷基板或塑胶基体等基板、该基体4可以是单层、双层或多层基体。本实施中该基体4选用双层圆形(未必一定是圆形,也可以是多角形等图形)PCB板,制作在该基体4的表层上至少有两个接入端子、本实施例是12个接入端子11、21、31、到121。每一个接入端子与接地端100之间分别接入一个第一器件C1、C2、C3、到C12。该接地端100通过金属过孔101与该基体4的底层上的接地端连接。可以选用不同电参数的第一器件,该第一器件可以是电感、电容、电阻或其它电子器件,并且第一器件未必都是同一种类的器件,可以选用不同种类的器件,比如选一个电感、还可选一个电容。若第一器件选用不同电感量的贴片式电感,该装置就是一个可调电感装置。该第一器件可以是贴片式器件、直接印制在基体上的器件、或采用印制、烧结、溅射或嵌入工艺制作在该基体上的器件,并且可以制作在该基体的不同层面上。该第一器件还可以是微带线,作为移相器。通过各自的信号过孔7将各个接入端子连接到该基体4的底层上,如图1b所示。图1b是图1a从顶层向下看的透视示意图,即本发明的第一实施方式的电参数的调节装置的基体底层电路结构示意图。基体4上还制作有两个孔,一个是定位孔5,另一个是移位孔6,其作用是与变位体配套使用,可用外力旋转该基体4。第一器件可以制作在基体4的不同层或相同层,也可以与接入端子制作在同一层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于阎跃军,未经阎跃军许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110233628.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。