[发明专利]控制电路以及发光二极管的调光方法无效

专利信息
申请号: 201110234345.X 申请日: 2011-08-12
公开(公告)号: CN102858050A 公开(公告)日: 2013-01-02
发明(设计)人: 庄哲渝;蔡羽 申请(专利权)人: 瀚宇彩晶股份有限公司
主分类号: H05B37/02 分类号: H05B37/02
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 郭鸿禧;刘奕晴
地址: 中国台湾台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 控制电路 以及 发光二极管 调光 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种控制电路以及发光二极管的调光方法,特别涉及一种适用于以单频集成电路驱动的发光二极管的控制电路以及发光二极管的调光方法。

背景技术

发光二极管驱动集成电路(LED Driver IC)的主要功能是驱动发光二极管的背光功能,使用者在控制上需要有开/关(Enable/Disable)以及调光(Pulse Width Modulation;PWM)功能。然而,单频发光二极管驱动集成电路(Single Channel LED Driver IC)只有一个输入端,所以若是使用单频发光二极管驱动集成电路,需要至少两个才可以实现开/关以及调光功能。

另外,发光二极管驱动集成电路在使用上分为单频或多频的发光二极管驱动集成电路,在多频的发光二极管驱动集成电路上可以设置分别独立的两个输入端,一个输入端可以用来接收开/关功能的讯信号,另一个输入端则用来接收调光功能的信号。然而多频发光二极管驱动集成电路的价格远高于单频发光二极管驱动集成电路的价格,因此会有较多成本上的考虑。

发明内容

有鉴于此,本发明的目的就是在提供一种控制电路以及发光二极管的调光方法,利用电路设计的方式解决付出过多成本的问题。

缘是,为达到上述目的,根据本发明的一种控制电路,适用于以单频集成电路驱动的发光二极管,该控制电路包含:场效晶体管、第一电阻、第二电阻、开关电压输入端、调光电压输入端以及电压输出端。其中,该场效晶体管包含第一源/漏极、第二源/漏极以及栅极,并且该第一电阻及该第二电阻分别耦接于该第一源/漏极及该第二源/漏极。该开关电压输入端耦接该第一电阻,其中该开关电压输入端将开关电压提供给该第一源/漏极,其中,当该开关电压为零伏特时,该发光二极管关闭,而当该开关电压大于零伏特时,该发光二极管的亮度依据该场效晶体管导通或截止而变化。此外,该调光电压输入端耦接该栅极,其中该调光电压输入端提供调光电压予该闸极,使该场效晶体管导通或截止。以及该电压输出端耦合于该第二源/漏极及该第二电阻之间,其中该电压输出端电性连接至该单频集成电路。换言之,本发明通过该单频集成电路前端的电路设计,并且输入开关电压及调光电压以调整输入到该单频集成电路的电压。

另外,本发明进一步提出一种发光二极管的调光方法,包括:将开关电压提供予场效晶体管的第一源/漏极;以及于第一时间周期内将第一调光电压提供予该场效晶体管的栅极以导通该场效晶体管,且于第二时间周期内将第二调光电压提供给该栅极以截止该场效晶体管,其中藉由调整该第一时间周期及该第二时间周期的比例来调控电性连接于该场效晶体管的第二源/漏极的该发光二极管的亮度。其中,在场效晶体管为P通道金属-氧化层-半导体-场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor;MOSFET)的情况下,该第一源/漏极为源极且该第二源/漏极为漏极;而在该场效晶体管是N通道金属-氧化层-半导体-场效晶体管的情况下,该第一源/漏极为漏极且该第二源/漏极为源极。此外,该第一时间周期及该第二时间周期是例如交错重复。

另外,在本发明之发光二极管的调光方法中,当该开关电压为零伏特时,则该发光二极管在该第一时间周期与该第二时间周期皆关闭,且当该开关电压大于零伏特时,该发光二极管的亮度依据该场效晶体管导通或截止变化。

此外,在较佳实施方式,所述提供该第一调光电压及第二调光电压的步骤中,还包含提供耦接于该第一源/漏极的第一电阻以及耦接于该第二源/漏极的第二电阻,其中该第一电阻的电阻值远小于该第二电阻的电阻值,例如该第二电阻的电阻值为该第一电阻的电阻值的10倍以上,且该开关电压是通过开关电压输入端提供给该第一源/漏极,且第一及第二调光电压是通过调光电压输入端提供给该栅极。

承上所述,根据本发明的控制电路以及发光二极管的调光方法,其可具有下述优点:

本发明的控制电路以及发光二极管的调光方法通过在单频集成电路前端加入电路设计,使得发光二极管可以通过一个单频集成电路进行开关及调光的功能。

兹为使贵审查员对本发明的技术特征及所达到的功效有更进一步的了解与认识,谨佐以较佳实施例及配合详细的说明如下。

附图说明

图1为本发明的控制电路的第一实施例的示意图。

图2为本发明的发光二极管调光方法的流程图。

图3为本发明的控制电路的第二实施例的示意图。

【主要组件符号说明】

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瀚宇彩晶股份有限公司,未经瀚宇彩晶股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110234345.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top