[发明专利]一种氧化硅的选择性刻蚀溶液及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种氧化硅的选择性刻蚀溶液及其制备方法和应用，其特征是，所述的选择性刻蚀溶液由质量浓度为1％～10％的氢氟酸溶液和相对介电常数大于氢氟酸相对介电常数83.6的溶剂组成，所述的氢氟酸溶液与所述的溶剂的体积比为1∶1～10∶1。

2.一种权利要求1所述的氧化硅的选择性刻蚀溶液的制备方法，其特征是，所述的氧化硅的选择性刻蚀溶液的制备方法，步骤如下：

1)加水稀释市售的质量浓度为40％的氢氟酸，制备得到质量浓度为1％～10％的氢氟酸溶液；

2)在步骤1)制得氢氟酸溶液中添加相对介电常数大于氢氟酸相对介电常数83.6的溶剂，氢氟酸溶液与溶剂的体积比为1∶1～10∶1，制备得到选择性刻蚀溶液(1)。

3.权利要求1所述的选择性刻蚀溶液的用途，其特征是，所述的选择性刻蚀溶液应用在激光刻蚀硅衬底的工艺步骤之后，用于在同时存在有氧化硅和氮化硅的工作面，去除激光刻蚀区域的氧化硅。

4.按照权利要求3所述的选择性刻蚀溶液的用途，其特征是，采用所述的选择性刻蚀溶液去除激光刻蚀区域的氧化硅，步骤如下：

1)将所述的氧化硅的选择性刻蚀溶液(1)置入顶端装有滚轴(4)的溶液槽(5)中，所述的选择性刻蚀溶液(1)恰好没过滚轴(4)；

2)将经激光刻蚀后的硅衬底(2)置于滚轴(4)上，硅衬底(2)的工作面(3)向下与所述的选择性刻蚀溶液(1)接触；

3)驱动硅衬底(2)，使硅衬底(2)随滚轴(4)旋转而前进，调节滚轴(4)的速度，使所述的选择性刻蚀溶液(1)处理工作面(3)的时间为5秒～120秒；

4)在经步骤5)处理过的工作面(3)上进行化学镀或者电镀。