[发明专利]选择性沉积的薄膜器件以及形成选择性沉积的薄膜的方法

权利要求书

1.一种用于在衬底上选择性沉积薄膜结构的方法，所述方法包括：

提供工艺气体(709)至衬底表面；

将来自能量源(701)的集中电磁能(703)引导到表面(705)的至少一部分；以及

将所述工艺气体(709)分解到所述衬底上以形成选择性沉积的薄膜结构(515)。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述薄膜结构(515)是第一传导层(203)的至少一部分。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述薄膜结构(515)包括金属。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述薄膜结构(515)包括选自铟、镉、锡、锌和其组合构成的组的金属。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述工艺气体(709)是有机金属气体。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述有机金属气体选自四氯化锡、二甲基镉、二甲基锌、三甲基铟及其组合构成的组。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述能量源(701)选自激光、射频、电子束、离子束、红外源及其组合构成的组。

8.一种薄膜器件，包括：

衬底；以及

在所述衬底上的选择性沉积的薄膜结构(515)，所述选择性沉积的薄膜结构(515)包括分解的工艺气体(709)。

9.如权利要求8所述的薄膜器件，其中所述选择性沉积的薄膜结构(515)包括金属。

10.如权利要求8所述的薄膜器件，其中所述选择性沉积的薄膜结构(515)是分解的有机金属气体。