[发明专利]膜动聚合物微流控芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种膜动聚合物微流控芯片，包括：第一基板(100)、隔膜(300)、位于所述第一基板(100)的一面上的若干结构部件(101)及位于所述第一基板(100)上的若干第一通孔(102)，其特征在于，还包括：第二基板(200)，所述第二基板(200)一面与所述第一基板(100)另一面相贴合，所述第二基板(200)的另一面表面平整，所述第二基板(200)上设有与所述第一基板(100)的第一通孔(102)对应的第二通孔(201)，第一通孔(102)和第二通孔(201)形成整体通孔(400)，所述隔膜(300)贴合在所述第二基板(200)的另一面。

2.如权利要求1所述的膜动聚合物微流控芯片，其特征在于，所述第一基板(100)和第二基板(200)在所述第一通孔(102)和第二通孔(201)周围贴合，两基板间其它部位形成间隙(500)。

3.如权利要求1或2所述的膜动聚合物微流控芯片，其特征在于，所述整体通孔(400)内壁的各横截面大小、形状相同。

4.如权利要求3所述的膜动聚合物微流控芯片，其特征在于，所述整体通孔(400)的横截面为：椭圆形或多边形。

5.一种制备权利要求1～4中任一项所述的膜动聚合物微流控芯片的制备方法，其特征在于，包括步骤：制备所述第一基板和第二基板，所述第一基板背离所述结构部件的表面为焊接面，第二基板上与第一基板相贴合的表面为焊接面，在所述第一基板或第二基板的焊接面上设置至少一个熔线；贴合所述第一基板和第二基板的焊接面，熔化所述熔线，将所述第一基板和第二基板焊接在一起；焊接后将所述隔膜贴合在所述第二基板的表面上。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述熔线一侧设置有导流槽。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，焊接前将一芯体插入所述第一基板和第二基板上相对应的第一通孔和第二通孔，焊接时熔化所述熔线，将所述第一基板和第二基板焊接在一起，焊接完成后取出芯体。

8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述芯体外壁与所述第一通孔和第二通孔的内壁之间无间隙。

9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述第一通孔或第二通孔周围设置有所述熔线。

10.如权利要求5～9中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述熔线的横截面形状为梯形、长方形、三角形或半圆形。

11.如权利要求10所述的制备方法，其特征在于，焊接时采用超声波压头熔化所述熔线。

12.如权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述熔线与所述芯体之间设有熔线间隔。

13.如权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述超声波压头置于所述第二基板背离所述第一基板的表面上。

14.如权利要求13所述的制备方法，其特征在于，所述熔线设置在第二基板面向所述第一基板的表面上。

15.如权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述第一基板或第二基板为透明基板，焊接前将蒙板覆盖在所述透明基板的非焊接面上，所述蒙板上对应所述熔线的位置设有透光区域，焊接时，激光透过蒙板上的透光区域照射并熔化所述熔线，将所述第一基板和第二基板焊接在一起，焊接完成后取下蒙板。

16.如权利要求15所述的制备方法，其特征在于，所述第二基板为透明基板，所述熔线设置在所述第一基板的焊接面上。