[发明专利]形成多晶硅层的方法、薄膜晶体管和有机发光器件

权利要求书

1.一种形成多晶硅层的方法，包括：

在基板上形成非晶硅层；

在所述非晶硅层上形成金属催化剂；

在形成所述金属催化剂的所述非晶硅层的整个表面上形成吸杂金属层；以及

执行热处理。

2.如权利要求1所述的形成多晶硅层的方法，其中所述热处理在形成所述吸杂金属层之后执行。

3.根据权利要求2所述的形成多晶硅层的方法，其中所述执行热处理包括向所述吸杂金属层供应氧气。

4.如权利要求2所述的形成多晶硅层的方法，其中所述热处理在从500℃到850℃范围内的温度下执行。

5.如权利要求1所述的形成多晶硅层的方法，其中所述执行热处理包括：

在所述形成非晶硅层之后执行初步热处理；以及

在所述形成吸杂金属层之后执行二次热处理。

6.如权利要求5所述的形成多晶硅层的方法，其中所述执行二次热处理包括向所述吸杂金属层供应氧气。

7.如权利要求5所述的形成多晶硅层的方法，其中所述初步热处理在从500℃到850℃范围内的温度下执行；并且

所述二次热处理在从450℃到750℃范围内的温度下执行。

8.如权利要求1所述的形成多晶硅层的方法，其中所述金属催化剂包括镍、银、金、铜、铝、锡、镉、钯、其合金及其组合中的一种；并且

所述吸杂金属层包括钛、铪、钪、锆、钒、钽、铬、钼、钨、锰、铼、钌、锇、钴、铑、铱、铂、钇、镧、铈、镨、钕、镝、钬、铝、其合金及其组合中的一种。

9.如权利要求1所述的形成多晶硅层的方法，其中所述吸杂金属层以不厚于的厚度形成。

10.一种薄膜晶体管，包括：

根据如权利要求1所述的方法形成的多晶硅层；

设置在所述多晶硅层上的栅绝缘层；

设置在所述栅绝缘层上并与所述多晶硅层重叠的栅电极；以及

电连接至所述多晶硅层的源电极和漏电极。

11.如权利要求10所述的薄膜晶体管，其中所述栅绝缘层包括金属氧化物。

12.如权利要求11所述的薄膜晶体管，其中所述金属氧化物通过在所述执行热处理期间氧化所述吸杂金属层而形成。

13.如权利要求11所述的薄膜晶体管，其中所述栅绝缘层具有不厚于的厚度。

14.一种有机发光器件，包括：

根据如权利要求1所述的方法形成的多晶硅层；

设置在所述多晶硅层上的栅绝缘层；

设置在所述栅绝缘层上并与所述多晶硅层重叠的栅电极；

电连接至所述多晶硅层的源电极和漏电极；

电连接至所述漏电极的像素电极；

面对所述像素电极的公共电极；以及

设置在所述像素电极与所述公共电极之间的有机发射层。

15.如权利要求14所述的有机发光器件，其中所述栅绝缘层包括金属氧化物。

16.如权利要求15所述的有机发光器件，其中所述金属氧化物通过在所述执行热处理期间氧化所述吸杂金属层而形成。

17.如权利要求15所述的有机发光器件，其中所述栅绝缘层具有不厚于的厚度。