[发明专利]用于填充晶片中的空腔的方法、相应填充的盲孔和具有相应填充的绝缘沟槽的晶片有效
| 申请号： | 201110235542.3 | 申请日： | 2011-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN102376589A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | J·弗赖;H·韦伯;E·格拉夫;R·施洛瑟 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/14;H01L23/48 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 曾立 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 填充 晶片 中的 空腔 方法 相应 具有 绝缘 沟槽 | ||
1.用于填充晶片中的空腔(20)的方法，其中，所述空腔(20)是朝着所述晶片的一个预先确定的表面敞开的，所述方法具有以下步骤：
在所述晶片的所述预先确定的表面上施加漆类的填充材料(30)；
在第一温度下烘焙所述晶片；
通过在第二温度下在真空下烘焙所述晶片来排出包围在所述填充材料(30)中的气泡，所述第二温度与所述第一温度相同或者高于所述第一温度；
通过在第三温度下烘焙所述晶片来使填充材料(30)硬化，所述第三温度高于所述第二温度。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述填充材料(30)是在所述第二温度下呈流质的材料。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述填充材料(30)是聚合物，尤其是聚酰亚胺或者苯并环丁烯化合物。
4.根据以上权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述第三温度低于250℃。
5.根据以上权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述空腔(20C)具有至少一个侧凹。
6.根据以上权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述空腔是金属的中空通孔(20B)或者是硅敷镀通孔的绝缘沟槽(20A)。
7.根据权利要求6所述的方法，所述方法具有以下另外的步骤：
使施加在所述晶片的所述预先确定的表面上的填充材料(30)结构化，以露出所述金属的中空通孔(20B)的或者硅敷镀通孔的接触端子(28)。
8.根据权利要求6所述的方法具有以下另外的步骤：
去除施加在所述晶片的所述预先确定的表面上的填充材料(30)，以露出所述金属的中空通孔(20B)的或者硅敷镀通孔的接触端子(28)。
9.晶片中的盲孔，所述盲孔借助于根据权利要求1至8中任一项所述的方法以填充材料(30)无缩孔地填充。
10.晶片，所述晶片具有硅衬底(10)、所述硅衬底(10)上的绝缘层(12)、所述绝缘层(12)上的埋入的印制导线(14)和所述硅衬底(10)中的至少一个用于所述埋入的印制导线(14)的触点接通的硅敷镀通孔，其中，所述硅敷镀通孔包括一些绝缘沟槽(20A)，这些绝缘沟槽从所述硅衬底(10)的背向所述埋入的印制导线(14)的侧面一直延伸到所述绝缘层(12)并且被如此设置，使得这些绝缘沟槽使所述硅衬底(10)的与所述埋入的印制导线(14)导电地连接的部分区域(21)与其余的硅衬底(10)电绝缘，其中，这些绝缘沟槽(20A)借助于根据权利要求1至8中任一项所述的方法以所述填充材料(30)无缩孔地填充。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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