[发明专利]半导体制程方法

权利要求书

1.一种半导体之制程方法，包含下列步骤：

提供一成长基板；

形成一凹凸结构于该成长基板上；

形成一半导体组件层于该凹凸结构上；以及

改变该成长基板与该半导体组件层的温度。

2.如权利要求1所述的制程方法，其特征在于，改变该成长基板与该半导体组件层的温度更包括一步骤：加热该成长基板与该半导体组件层，并施加一压力使该半导体组件层接合至一接合基板。

3.如权利要求2所述的制程方法，其特征在于，该接合基板的材质系选自由一铜材质、一铝材质、一硅材质、一钻石材质、一铜合金材质、一铝合金材质及其组合所组成的群组其中之一。

4.如权利要求1所述的制程方法，其特征在于，该半导体组件层是一氮化物材质，而该成长基板系选自由一氧化铝材质、一蓝宝石(Sapphire)材质、一碳化硅(SiC)材质及一硅(Si)材质所组成的群组其中之一。

5.如权利要求1所述的制程方法，其特征在于，在该成长基板形成该凹凸结构是透过一化学湿式蚀刻或一干式蚀刻来图形化该成长基板而形成该凹凸结构。

6.如权利要求5所述的制程方法，其特征在于，该化学湿式蚀刻系使用一氢氧化钾(KOH)溶液进行蚀刻。

7.如权利要求1所述的制程方法，其特征在于，在该成长基板上形成该半导体组件层之前更包括以下步骤：

在该成长基板的一上表面形成一介电阻挡层；以及

以曝光、显影与蚀刻的方式使该介电阻挡层裸露出该上表面的一区域。

8.如权利要求7所述的制程方法，其特征在于，在该半导体基板上形成该凹凸结构之前更包括以下步骤：

以一湿式蚀刻方式蚀刻该区域以形成该凹凸结构。

9.如权利要求8所述的制程方法，其特征在于，该湿式蚀刻方式系使用一氟化氢(HF)溶液。

10.如权利要求7所述的制程方法，其特征在于，该介电阻挡层系一二氧化硅材质。

11.一种半导体制程方法，包含下列步骤：

提供一具有一上表面之成长基板；

形成一具有一下表面之半导体组件层于该成长基板上；

减少该上表面与该下表面间的一接触面积；以及

加热该成长基板与该半导体组件层。

12.一种半导体制程方法，包含下列步骤：

提供一具有一第一表面之成长基板；

提供一具有一第二表面之半导体组件层，其中该第二表面与该第一表面接触；以及

加热该第一成长基板与该半导体组件层，以使该第一表面与该第二表面处于一分离状态。

13.一种半导体制程方法，包含下列步骤：

提供一具有一第一表面之成长基板；

提供一具有一第二表面之半导体组件层，其中该第二表面与该第一表面接触；以及

使该第一表面与该第二表面至少两者之一全部处于一受热状态而得以相互分离。

14.一种半导体制程方法，包含下列步骤：

提供一具有一第一表面之成长基板；

提供一具有一第二表面之半导体组件层，其中该第二表面与该第一表面接触；以及

使该第一表面形成一不平整表面，以减少该第一表面与该第二表面之一接触面积。

15.一种半导体制程用之一成长基板，用以成长一半导体组件层，包含：

一成长基板本体；以及

一不平整表面，形成于该成长基板本体上，以减少该半导体组件层与该不平整表面之一接触面积。