[发明专利]单片微波集成电路

说明书

发明领域

本发明大体涉及一种半导体器件和电路以及用于制造该半导体器件和电路的方法，并且更具体地，涉及到适合于在非常高的频率、包括微波频率下操作的单片集成电路。

背景技术

随着电子技术的发展，对于适合于在越来越高的频率、包括微波频率下操作的固态电路存在持续的需求。如本文中所使用的，术语“微波”指的是约800兆赫兹或以上的频率。已经产生了能够提供这种频率范围中的增益的各种晶体管结构。例如电感器和电容器的无源构件通常必须与这种固态放大器相组合以实现所需的电路功能，例如但是不意欲限于：功率放大器、调制器、过滤器、振荡器等。但是，由于所需的操作频率已经增加了，因此已经证实用于在共用基板上单片地形成这种有源和无源元件的常规方式实际上不适合于微波结构，并且目前为止满意的性能需要组装单独制造的无源和有源元件。由此，对于具有基本同时制造在共用单片基板上的无源和有源元件的单片集成电路存在持续的需求，其能够在微波频率下操作。

附图说明

以下，将结合下面的附图来描述本发明，这里，相同附图标记表示相同元件，以及其中：

图1是根据现有技术的绝缘栅场效应晶体管与电容器和电感器相组合以形成微波放大器的简化电气示意图；

图2是根据现有技术的将图1的电路具体化的物理放大器结构的简化平面图；

图3是根据本发明的实施例的绝缘栅场效应晶体管与电容器和电感器相组合以形成微波放大器的简化电气示意图；

图4是根据本发明的另一实施例的将图3的电路具体化的物理放大器结构的简化平面图；

图5是根据本发明的再一实施例的用于图3-4的放大器中的横向(双)扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管的简化横截面图；

图6是根据本发明又一实施例的图4的一部分放大器结构的简化横截面图，其示出了如何以单片形式将低损耗电容提供在其中、耦合到用于形成低损耗电感或互联的导体作为同一单片结构的一部分；

图7是根据本发明的又一实施例的图4的另一部分放大器结构的简化横截面图，其示出了如何以单片形式将另一低损耗电容提供在其中、耦合到用于形成低损耗电感或互联的导体作为同一单片结构的一部分；

图8示出了根据本发明又一实施例的说明用于形成图4-7的部分或全部结构的方法的简化流程图；以及

图9-11示出了根据本发明又一实施例的说明用于形成图4-7的部分或全部结构的方法的简化流程图。

具体实施方式

以下的详细描述实际上仅是示范性的且不限制本发明或者本发明的应用和使用。而且，并不受到在前述技术领域、背景技术或者以下的详细描述中提出的任何所表达或暗示的理论限制。

为了简化和明确说明，附图示出了构成和描述的一般方式且可以省略众所周知的特征和技术的细节，以避免不必要地混淆本发明。此外，在附图中的元件不一定按比例绘制。例如，图中一些元件或区域的尺寸相对于其他元件或区域的尺寸可以放大，以有助于促进对本发明实施例的理解。

如果存在的话，则说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等可以用于区分相似元件和步骤且未必用于描述特定顺序或时间顺序。应理解，这样使用的术语在适当环境下可互换，例如以使得本文描述的本发明的实施例能够以所示顺序之外的顺序操作或者以本文中另外描述的顺序操作。而且，术语“包括”、“包含”、“具有”及其任何变形都覆盖非排他的包括，使得包括要素列表的工艺、方法、工件或者装置不必限于这些要素，而是可以包括没有明确列出的或者对该工艺、方法、工件或装置固有的其他要素。如本文中所使用的术语“耦合”被限定为以电或非电的方式直接或间接连接。如本文中所使用的，术语“基本的”、“基本上”意思是以实践方式足以实现所述目的，以及如果存在的话，较小的瑕疵对于所述目的并无重要影响。