[发明专利]铜互连结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201110236698.3 | 申请日： | 2011-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN102956539A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 互连 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种铜互连结构的制造方法，其特征在于，包括：
形成铜互连线；
在所述铜互连线上形成上扩散阻挡层，所述上扩散阻挡层是含有硼和氮的化合物。
2.如权利要求1所述的铜互连结构的制造方法，其特征在于，所述上扩散阻挡层是含有硼、氮和碳的化合物。
3.如权利要求1或2所述的铜互连结构的制造方法，其特征在于，利用化学气相沉积工艺形成所述上扩散阻挡层，所述化学气相沉积工艺所使用的气体包括C3H12BN。
4.如权利要求3所述的铜互连结构的制造方法，其特征在于，所述化学气相沉积工艺所使用的气体还包括N2、NH2-H2N和NH3。
5.如权利要求3所述的铜互连结构的制造方法，其特征在于，所述化学气相沉积工艺所使用的气体还包括He和N2。
6.如权利要求1或2所述的铜互连结构的制造方法，其特征在于，所述化学气相沉积工艺中，功率为150w～1000w，压强为2torr～7torr。
7.如权利要求1或2所述的铜互连结构的制造方法，其特征在于，所述上扩散阻挡层的厚度为30埃～1000埃。
8.如权利要求1或2所述的铜互连结构的制造方法，其特征在于，在形成铜互连线之前，还包括如下步骤：
形成下扩散阻挡层，所述下扩散阻挡层是含有硼和氮的化合物；
在所述下扩散阻挡层上形成隔离结构，用以隔离铜互连线。
9.一种铜互连结构，其特征在于，包括：
铜互连线；及
位于所述铜互连线上的上扩散阻挡层，所述上扩散阻挡层是含有硼和氮的化合物。
10.如权利要求9所述的铜互连结构，其特征在于，所述上扩散阻挡层为含有硼、氮和碳的化合物。
11.如权利要求9或10所述的铜互连结构，其特征在于，所述上扩散阻挡层的厚度为30埃～1000埃。
12.如权利要求9或10所述的铜互连结构，其特征在于，还包括下扩散阻挡层，所述下扩散阻挡层与所述上扩散阻挡层相对设置，所述下扩散阻挡层是含有硼和氮的化合物。
13.如权利要求9或10所述的铜互连结构，其特征在于，还包括隔离结构，所述隔离结构位于所述上扩散阻挡层和下扩散阻挡层之间，并隔离所述铜互连线，所述隔离结构为低K介质。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
