[发明专利]使用类似SRAM接口的NAND闪存存储器无效
| 申请号： | 201110237577.0 | 申请日： | 2011-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN102955752A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 丁真如 | 申请（专利权）人： | 上海摩晶电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F13/16 | 分类号： | G06F13/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200235 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 使用 类似 sram 接口 nand 闪存 存储器 | ||
【权利要求书】：
1.一种用周边电路在NAND闪存芯片上实现类似SRAM的接口的存储器设计。
2.一种符合权利要求1的设计，其特征在于，在NAND闪存记忆单元阵列的基础上，设置外围电路，并设计类似SRAM的接口电路，使之表现为NOR，也即实现‘伪NOR’存储器。
3. 一种符合权利要求1的设计，其特征在于，本发明保留了NAND闪存原有的读写电路，其对于阵列内部的读写操作基本不变。
4. 一种符合权利要求1的设计，其特征在于，本发明增加的逻辑电路，X控制芯片的（类似SRAM的）读写接口，也控制对内嵌的NAND的读写操作，在这两者之间则由SRAM或寄存器阵列建立一个缓冲区。
5. 一种符合权利要求1的设计，其特征在于，本发明的基本功能原则上可以由传统的NAND控制器，缓冲区，和IO控制电路及IO电路组成。
6. 一种符合权利要求1的设计，其特征在于，在实际设计中，可以根据性能要求，对NAND控制器部分进行简化，提高吞吐量和其他指标，优化性能，减低成本。
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