[发明专利]等离子体处理装置和沉积方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，所述等离子体处理装置包括保持器，该保持器将要进行处理的物体保持在真空腔室中，同时与该物体电连接，所述等离子体处理装置包括：

第一卷取部分，该第一卷取部分设置成卷取导电板，并在等离子体处理时设置为与物体的电势不同的电势；以及

第二卷取部分，该第二卷取部分设置成卷取由第一卷取部分供给并经过对着由保持器保持的物体的处理表面的位置的导电板。

2.根据权利要求1所述的装置，还包括：调节部分，该调节部分布置成与导电板的、位于第一卷取部分和第二卷取部分之间的部分接触，并设置成调节在所述部分和所述物体之间的距离。

3.根据权利要求1或2所述的装置，其中：导电板的、位于第一卷取部分和第二卷取部分之间的部分布置在由保持器保持的物体的前表面和后表面的两侧。

4.根据权利要求3所述的装置，其中：导电板的、位于第一卷取部分和第二卷取部分之间的部分定位成使得导电板的两个表面中的一个对着由保持器保持的物体的两个表面。

5.根据权利要求3所述的装置，其中：导电板的、位于第一卷取部分和第二卷取部分之间的部分定位成使得导电板的两个表面中的一个对着由保持器保持的物体的两个表面中的一个，并使得导电板的两个表面中的另一个对着由保持器保持的物体的两个表面中的另一个。

6.根据权利要求1所述的装置，其中：制冷剂流动通路提供为用于第一卷取部分和第二卷取部分中的至少一个，制冷剂流过该制冷剂流动通路。

7.根据权利要求1所述的装置，还包括：磁体，该磁体布置成使得导电板的、对着由保持器保持的物体的部分夹在该磁体和该物体之间。

8.一种通过使用根据权利要求1所述的等离子体处理装置而在金属板的表面上形成碳薄膜涂层的沉积方法，该方法包括以下步骤：使得第二卷取部分卷取导电板的表面的一部分，绝缘薄膜沉积在该部分上，并使得导电板的、上面没有沉积绝缘薄膜的表面部分定位成对着由保持器保持的物体的处理表面。

9.一种制造具有金刚石状碳薄膜的金属板的方法，该方法包括通过使用根据权利要求1所述的等离子体处理装置而在金属板的表面上形成碳薄膜涂层的处理，该方法包括以下步骤：使得第二卷取部分卷取导电板的表面的一部分，绝缘薄膜沉积在该部分上，并使得导电板的、上面没有沉积绝缘薄膜的表面的部分定位成对着由保持器保持的物体的处理表面。

10.一种制造分离器的方法，该方法包括通过使用根据权利要求1所述的等离子体处理装置而在预定金属板的表面上形成碳薄膜涂层的处理，该方法包括以下步骤：使得第二卷取部分卷取导电板的表面的一部分，绝缘薄膜沉积在该部分上，并使得导电板的、上面没有沉积绝缘薄膜的表面的部分定位成对着由保持器保持的物体的处理表面。

11.一种等离子体处理装置，用于在真空容器中在要处理的物体上进行等离子体处理，该装置包括支承机构，该支承机构设置成支承导电板，以便使得导电板的一部分对着物体，导电板在第一辊和第二辊之间延伸，使得第二辊从第一辊上卷取导电板，

其中，当电压施加在导电板和物体之间时，对于物体进行等离子体处理。

12.一种制造物品的方法，该方法包括以下步骤：

在导电板的第一部分对着物体的状态下当在导电板和要处理的物体之间施加电压时对于物体进行等离子体处理，导电板在第一辊和第二辊之间延伸，使得第二辊从第一辊上卷取导电板；以及

使得第二辊卷取导电板，以便使得第一部分运动。