[发明专利]一种电阻率异常太阳能多晶硅片的处理方法

权利要求书

1. 一种电阻率异常太阳能多晶硅片的处理方法，其特征在于，

所述的具体工艺步骤如下：

1）先将异常的硅片经过硅片全自动清洗机进行清洗并烘干；

2）将清洗并烘干的异常硅片竖立于喷涂并烧结好的多晶铸锭用坩埚内，摆放过

程中应该注意在硅片与坩埚、硅片与硅片之间留一定的空隙，将硅片按50-100片为一摞竖立放置于喷涂并烧结好的石英坩埚内，摞与摞之间用平整的石英坩埚片隔开；

3）将坩埚按正常多晶铸锭工艺置于多晶铸锭炉内，并进行抽真空和检漏，待检

漏通过后，将运行程序设定为：温度控制模式，温度为600~800℃，隔热笼位置为0，炉内压力为200mba左右，出气控制模式，使炉内保持600~800摄氏度进行恒温处理，处理时间为2~4小时；

4）恒温处理2~4小时后，关闭加热器，保持隔热笼关闭的状态，待温度降到500

度以下时，将隔热笼打开到8cm，使硅片随炉冷却至300度以下，然后进行开炉，将硅片取出进行自然冷却至室温；

5）将硅片取出并重新清洗及包装。