[发明专利]ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201110239699.3 | 申请日： | 2011-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN102277570A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 宋佳;李文英;姜来新;尹桂林;余震;何丹农 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学;上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 |
| 主分类号： | C23C28/00 | 分类号： | C23C28/00;C23C14/35;C23C14/18;C23C16/44;C23C16/40 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 郭国中 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | zno cu 透明 导电 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：在基片上依次进行原子层沉积ZnO薄膜，磁控溅射沉积Cu中间层，以及原子层沉积ZnO薄膜，得到ZnO/Cu/ZnO的三明治结构的透明导电薄膜。
2.根据权利要求1所述的ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜的制备方法，其特征是，所述的基片为经超声清洗的玻璃。
3.根据权利要求2所述的ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜的制备方法，其特征是，所述的超声清洗是指：采用异丙醇或去离子水将基片置于超声清洗机中分别超声清洗10min，后用压缩氮气吹干基片表面。
4.根据权利要求1所述的ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜的制备方法，其特征是，所述的ZnO沉积是指：将原子层沉积室抽真空后，向沉积室中引入二乙基锌Zn(CH2CH3)2后，用纯度大于99.999％的高纯氮气清洗沉积室并向沉积室中引入水蒸汽，沉积得到单层ZnO，沉积结束后再用高纯氮气清洗沉积室，并反复沉积100~300个循环。
5.根据权利要求4所述的ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜的制备方法，其特征是，所述的将原子层沉积室抽真空，是指抽真空至8 hPa~14 hPa。
6.根据权利要求4所述的ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜的制备方法，其特征是，所述的二乙基锌、高纯氮气和水蒸汽在沉积室内暴露时间依次为：二乙基锌0.1s、高纯氮气3s、水蒸汽 0.1s、高纯氮气3s。
7.根据权利要求1所述的ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜的制备方法，其特征是，所述的磁控溅射沉积Cu中间层是指：将磁控溅射室本底抽真空后，通入氩气，在ZnO薄膜基础上直流溅射纯Cu靶，制成Cu中间层。
8.根据权利要求7所述的ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜的制备方法，其特征是，所述的将磁控溅射室本底抽真空后，通入氩气，是指将磁控溅射室本底真空抽至10-4 Pa后，通入氩气并调整气体流量计使气压达到1Pa。
9.根据权利要求7所述的ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜的制备方法，其特征是，所述在ZnO薄膜基础上直流溅射纯Cu靶，其中溅射功率为100W，溅射时间为5s~30s。
10.根据权利要求1或7所述的ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜的制备方法，其特征是，所述的Cu中间层厚度为3nm~25nm。
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