[发明专利]电磁屏蔽方法及制品

权利要求书

1.一种制品，包括基体，其特征在于：该制品还包括形成于该基体上的一绝缘层及形成于该绝缘层上的导电层，该绝缘层为铝-硅-氧层，该导电层为镍铜合金层。

2.如权利要求1所述的制品，其特征在于：该绝缘层及导电层通过真空镀膜的方式形成。

3.如权利要求1所述的制品，其特征在于：该绝缘层的厚度为0.8~5μm。

4.如权利要求3所述的制品，其特征在于：该绝缘层的厚度为2~3μm。

5.如权利要求1所述的制品，其特征在于：该导电层的厚度为0.5~2μm。

6.如权利要求5所述的制品，其特征在于：该导电层的厚度为1~2μm。

7.如权利要求1所述的制品，其特征在于：该基体为印刷电路板或柔性线路板。

8.如权利要求7所述的制品，其特征在于：该基体上形成有至少一电子元件，所述绝缘层及所述导电层沉积在所述电子元件的表面及基体的表面，以使电子元件被封闭于所述绝缘层内。

9.一种电磁屏蔽方法，其包括如下步骤：

提供基体；

采用真空镀膜法，以铝硅合金靶为靶材，以氧气为反应气体，于基体上形成一绝缘层，该绝缘层为铝-硅-氧层；

采用真空镀膜法，以镍铜合金靶为靶材，于该绝缘层上形成一导电层，该导电层为镍铜合金层。

10.如权利要求9所述的电磁屏蔽方法，其特征在于：形成所述绝缘层的方法为：采用磁控溅射镀膜法，设置铝硅合金靶的功率为5~8kw，以氧气为反应气体，氧气的流量为50~200sccm，以氩气为工作气体，氩气的流量为100~300sccm，施加于基体的偏压为-100~-300V，镀膜温度为20~80℃，镀膜时间为15~35min；其中，所述铝硅合金靶中铝的质量百分含量为65~82%。

11.如权利要求9所述的电磁屏蔽方法，其特征在于：形成所述导电层的方法为：采用磁控溅射镀膜法，设置镍铜合金靶的功率为10~15kw，以氩气为工作气体，氩气的流量为100~300sccm，施加于基体的偏压为-100~-300V，镀膜温度为20~80℃，镀膜时间为3~20min；其中，所述镍铜合金靶中镍的质量百分含量为50~68%。