[发明专利]光电传感器

权利要求书

1.一种光电传感器，其特征在于：包括基于CMOS工艺的平面光波导及以集成电路实现的传感器，所述平面光波导及传感器集成在一芯片上，所述平面光波导设置在金属布线层上，所述传感器的感光元件用于响应所述平面光波导传导的光信号。

2.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于：所述平面光波导设置有外层及内层，所述外层包覆所述内层。

3.根据权利要求2所述的光电传感器，其特征在于：所述外层设置有N+埋层、重掺杂的深N阱、氧化层和钝化层，所述N+埋层位于所述内层的一侧，所述深N阱、氧化层和钝化层位于所述内层的另一侧。

4.根据权利要求2或3所述的光电传感器，其特征在于：所述内层为轻掺杂的P+外延层。

5.根据权利要求3所述的光电传感器，其特征在于：所述平面光波导还包括P型硅衬底，在所述P型硅衬底上通过N+离子注入形成所述N+埋层。

6.根据权利要求3所述的光电传感器，其特征在于：所述N+埋层上方通过等离子溅射形成所述内层。

7.根据权利要求4所述的光电传感器，其特征在于：所述P+外延层上通过氮化硅掩蔽和离子注入形成两个所述重掺杂的深N阱，所述两个重掺杂的深N阱位于所述P+外延层的两端。

8.根据权利要求4所述的光电传感器，其特征在于：所述P+外延层和深N阱上方生长形成所述氧化层，所述氧化层上方生长形成所述钝化层。

9.根据权利要求1至3任一项所述的光电传感器，其特征在于：所述传感器是CMOS传感器。

10.根据权利要求1至3任一项所述的光电传感器，其特征在于：所述CMOS传感器设置有若干像素结构，每一像素结构设置有顺秩电连接的光电二极管、放大器及场效应管，所述场效应管的源极与列线相连，所述场效应管的栅极与行线相连。