[发明专利]光电元件及其制造方法

权利要求书

1.一种光电元件，包含：

半导体叠层，包含：第一半导体层、有源层及第二半导体层；

第一电极与该第一半导体层电连接；

第二电极与该第二半导体层电连接，其中该第一电极与该第二电极有一最小距离D1；

第三电极形成在部分该第一电极之上且与该第一电极电连接；及

第四电极形成在部分该第一电极之上及部分该第二电极之上且与该第二电极电连接，其中该第三电极与该第四电极有一最小距离D2，且该第三电极与该第四电极的最小距离D2小于该第一电极与该第二电极的最小距离D1。

2.如权利要求1所述的光电元件，其中还包含基板，蓁形成在该半导体叠层之上，其中该基板与该第一电极形成在该半导体叠层的相对侧。

3.如权利要求1所述的光电元件，其中该第一电极包含延伸电极，及/或该第二电极包含第二延伸电极。

4.如权利要求1所述的光电元件，其中该第一半导体层、该有源层及该第二半导体层的材料包含一种或一种以上的元素选自镓(Ga)、铝(Al)、铟(In)、砷(As)、磷(P)、氮(N)以及硅(Si)所构成群组。

5.如权利要求1所述的光电元件，其中该第一电极、第二电极、第三电极及第四电极的材料可选自：铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、铂(Pt)、铜(Cu)、金(Au)、铝(Al)、钨(W)、锡(Sn)、或银(Ag)等金属材料。

6.如权利要求1所述的光电元件，其中该第三电极可包含第一平面区及至少一第一凸出部，且该第一平面区可大致呈一长方型结构，且该第一凸出部可延伸自该第一平面区且覆盖未被该第一平面区覆盖的裸露出的该第一电极。

7.如权利要求1所述的光电元件，其中该第四电极可包含第二平面区及至少一第二凸出部，且该第二平面区可大致呈一长方型结构，且该第二凸出部可延伸自该第二平面区且覆盖未被该第二平面区覆盖的裸露出的该第一电极。

8.如权利要求1所述的光电元件，其中该第一电极未被该第三电极与该第四电极覆盖的面积小于该第一电极总面积的2％。

9.如权利要求1所述的光电元件，其中该第三电极可为梳子状，包含第一平面区及至少一第一凸出部，且该第一平面区可大致呈一长方型结构，且该第一凸出部可延伸自该第一平面区且覆盖未被该第一平面区覆盖的裸露出的该第一电极，且该第四电极可大致为一长方形结构并覆盖部分的该第一电极。

10.如权利要求9所述的光电元件，其中该第一凸出部的平行该第一电极长端的边长大于垂直第一电极长端的边长。

11.如权利要求1所述的光电元件，还包含第一焊垫形成在该第三电极之上及至少一第二焊垫形成在该第四电极之上。

12.如权利要求11所述的光电元件，其中该第一焊垫与该第二焊垫具有一最小距离D3，且该第三电极与该第四电极的最小距离D2小于该第一焊垫与该第二焊垫的最小距离D3。

13.如权利要求11所述的光电元件，其中该第一焊垫可包含梳子状结构的第一区及大致为长方形的第二区，其中该第一区覆盖该第三电极之上且该第二区形成在两该第一电极之间。

14.如权利要求1所述的光电元件，其中该第一电极与该第二电极的最小距离D1可介于10～50μm，及/或该该第三电极与该第四电极的最小距离D2可介于1～10μm。

15.如权利要求12所述的光电元件，其中该第一焊垫与该第二焊垫的最小距离D3可介于40μm～600μm。

16.如权利要求3所述的光电元件，其中该第一电极与第二延伸电极可为一弧形或弯曲形状。