[发明专利]低噪声的锗硅异质结双极晶体管制作方法有效
| 申请号： | 201110240916.0 | 申请日： | 2011-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN102412149A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 噪声 锗硅异质结 双极晶体管 制作方法 | ||
1.一种低噪声的锗硅异质结双极晶体管制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、锗硅异质结双极晶体管的发射极采用多晶硅层，对发射极作掺杂后进行快速热退火，对杂质进行扩散再分布；
步骤二、对多晶硅发射极作中高剂量的大原子杂质的预非晶化离子注入，并快速退火，实现非晶化的发射极再结晶，生成单晶层，使得发射区/基区结由单晶硅/单晶锗硅构成；
步骤三、预非晶化离子注入后需立即进行快速热退火，对非晶化的发射极作再结晶处理。
2.如权利要求1所述的低噪声的锗硅异质结双极晶体管制作方法，其特征在于，步骤一中，其掺杂可采用生长在位掺杂、生长在位掺杂加上离子注入或者只有离子注入。
3.如权利要求1所述的低噪声的锗硅异质结双极晶体管制作方法，其特征在于，步骤二中，预非晶化离子注入的杂质可以是锗原子或硅原子，也可以是其它大原子杂质。
4.如权利要求1所述的低噪声的锗硅异质结双极晶体管制作方法，其特征在于，步骤二中，预非晶化离子注入的剂量范围为1×1014cm-2～5×1015m-2。
5.如权利要求1所述的低噪声的锗硅异质结双极晶体管制作方法，其特征在于，步骤二中，预非晶化离子注入的能量根据多晶硅发射极厚度而定，以离子注入的杂质峰值位于多晶硅与锗硅基区界面为条件。
6.如权利要求1所述的低噪声的锗硅异质结双极晶体管制作方法，其特征在于，步骤三中，退火温度大于1000℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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