[发明专利]非水电解质和非水电解质电池无效
申请号: | 201110240989.X | 申请日: | 2011-08-18 |
公开(公告)号: | CN102386442A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
发明(设计)人: | 内田有治;川岛敦道 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01M10/0569 | 分类号: | H01M10/0569;H01M10/0525 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 顾晋伟;董文国 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 水电 电池 | ||
1.一种非水电解质,包含:
电解质盐;
碳酸二甲酯和碳酸甲乙酯中的至少之一;
由式(I)表示的链碳酸酯;和
由式(II)表示的聚硅氧烷化合物,
...式(I)
(R1表示CnH2n+1,n表示13~20的整数;R2表示CnH2n+1,n表示1~20的整数),
...式(II)
(R3和R4各自表示氢(H)、具有1~50个碳原子的烷基或苯基)。
2.根据权利要求1所述的非水电解质,
其中所述链碳酸酯的含量为0.05~1.0质量%。
3.根据权利要求1所述的非水电解质,
其中所述聚硅氧烷化合物的含量为0.05~1.0质量%。
4.根据权利要求1所述的非水电解质,
其中所述链碳酸酯的含量与所述聚硅氧烷化合物的含量的质量比率为0.25~2.00。
5.一种非水电解质电池,包括:
正极;
负极;和
非水电解质,
其中所述非水电解质包含:电解质盐;碳酸二甲酯和碳酸甲乙酯中的至少之一;由式(I)表示的链碳酸酯;以及由式(II)表示的聚硅氧烷化合物,
...式(I)
(R1表示CnH2n+1,n表示13~20的整数;R2表示CnH2n+1,n表示1~20的整数)
...式(II)
(R3和R4各自表示氢(H)、具有1~50个碳原子的烷基或苯基)。
6.根据权利要求5所述的非水电解质电池,
其中所述链碳酸酯的含量为0.05~1.0质量%。
7.根据权利要求5所述的非水电解质电池,
其中所述聚硅氧烷化合物的含量为0.05~1.0质量%。
8.根据权利要求5所述的非水电解质电池,
其中所述链碳酸酯的含量与所述聚硅氧烷化合物的含量的质量比率为0.25~2.00。
9.根据权利要求5所述的非水电解质电池,
还包括:用作外部元件的层叠膜。
10.一种非水电解质电池,包括:
正极;
负极;和
非水电解质,其包含:电解质盐、以及碳酸二甲酯和碳酸甲乙酯中的至少之一,
其中至少在所述正极的部分表面上设置有得自由式(I)表示的链碳酸酯的涂布膜和得自由式(II)表示的聚硅氧烷化合物的涂布膜,
...式(I)
(R1表示CnH2n+1,n表示13~20的整数;R2表示CnH2n+1,n表示1~20的整数),
...式(II)
(R3和R4各自表示氢(H)、具有1~50个碳原子的烷基或苯基)。
11.根据权利要求10所述的非水电解质电池,
还包括:用作外部元件的层叠膜。
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