[发明专利]基于非晶多元金属氧化物的柔性电阻式非易失性存储器无效
| 申请号： | 201110241003.0 | 申请日： | 2011-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN102280578A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 徐海阳;王中强;张磊;于浩;李兴华;刘益春 | 申请（专利权）人： | 东北师范大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 长春市东师专利事务所 22202 | 代理人： | 刘延军;李荣武 |
| 地址： | 130024 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 多元 金属 氧化物 柔性 电阻 非易失性存储器 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于非晶多元金属氧化物的柔性电阻式非易失性随机存储器，其特征在于：由柔性衬底(1)、金属薄膜底电极(2)、非晶多元金属氧化物薄膜(3)、金属薄膜顶电极(4)依次粘附组成，其中，柔性衬底(1)由高分子聚乙烯对苯二酸脂PET塑料薄片构成、金属薄膜底电极(2)和金属薄膜顶电极(4)由具有延展性的薄层金属材料或金属合金材料构成、可变电阻层(3)为非晶多元金属氧化物薄膜。
2.如权利要求1所述的柔性存储器，其特征在于：所述的可变电阻层(3)为铜铝氧CuAlO2、铟镓锌氧InGaZnO，其厚度为40-60nm。
3.如权利要求1所述的柔性存储器，其特征在于：所述金属薄膜底电极(2)和金属薄膜顶电极(4)为金属Cu、Au、Pt、Al或合金Cu/Al、Al/Pt，厚度为20nm。
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