[发明专利]形成多晶硅层的方法、薄膜晶体管和有机发光装置

权利要求书

1.一种形成多晶硅层的方法，包括：

形成第一非晶硅层和第二非晶硅层，使得所述第一非晶硅层和所述第二非晶硅层具有彼此不同的膜性质；和

用金属催化剂使所述第一非晶硅层和所述第二非晶硅层结晶，以分别形成第一多晶硅层和第二多晶硅层。

2.如权利要求1的形成多晶硅层的方法，其中所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层具有彼此不同的晶粒度。

3.如权利要求2的形成多晶硅层的方法，其中所述第二多晶硅层比所述第一多晶硅层具有更小的晶粒度。

4.如权利要求3的形成多晶硅层的方法，其中形成具有彼此不同膜性质的所述第一非晶硅层和所述第二非晶硅层包括：

在提供第一气体的同时沉积所述第一非晶硅层；和

在提供第二气体的同时沉积所述第二非晶硅层。

5.如权利要求4所述的形成多晶硅层的方法，其中所述第一气体包括氩气，和

所述第二气体包括氢气。

6.如权利要求5所述的形成多晶硅层的方法，其中所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层包括由所述金属催化剂和硅结合形成的硅化物，且所述第一多晶硅层比所述第二多晶硅层具有更高的硅化物含量。

7.如权利要求1所述的形成多晶硅层的方法，其中所述第一非晶硅层中的金属催化剂用量和所述第二非晶硅层中金属催化剂的用量相同。

8.一种薄膜晶体管，包括：

用金属催化剂结晶的多晶硅层；

与所述多晶硅层重叠的栅极；和

与所述多晶硅层电连接的源极和漏极，

其中，所述多晶硅层包括具有彼此不同的晶粒度的第一多晶硅层和第二多晶硅层。

9.如权利要求8所述的薄膜晶体管，其中所述第一多晶硅层比所述第二多晶硅层更靠近所述栅极布置。

10.如权利要求9所述的薄膜晶体管，其中所述第二多晶硅层比所述第一多晶硅层具有更小的晶粒度。

11.如权利要求9所述的薄膜晶体管，其中所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层包括由所述金属催化剂和硅结合形成的硅化物，且

所述第一多晶硅层比所述第二多晶硅层具有更高的硅化物含量。

12.一种有机发光装置，包括：

薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、与所述栅极重叠且用金属催化剂结晶的多晶硅层和以所述多晶硅层为中心彼此相对的源极和漏极；

与所述薄膜晶体管电连接的第一电极；

与所述第一电极相对的第二电极；和

布置在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层；

其中所述多晶硅层包括具有彼此不同晶粒度的第一多晶硅层和第二多晶硅层。

13.如权利要求12所述的有机发光装置，其中所述第一多晶硅层比所述第二多晶硅层更靠近所述栅极布置。

14.如权利要求13所述的有机发光装置，其中所述第二多晶硅层比所述第一多晶硅层具有更小的晶粒度。

15.如权利要求13所述的有机发光装置，其中所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层包括由所述金属催化剂和硅结合形成的硅化物，且所述第一多晶硅层比所述第二多晶硅层具有更高的硅化物含量。