[发明专利]一种快速寻找束流最大值的方法

说明书

技术领域

本发明涉及离子注入机寻找束流最大值的方法。此方法通过缓存记忆电源输入的三个值及其对应的束流值作为三组分析数据，并且对这三组数据进行趋势判断，来寻找束流最大值。

背景技术

半导体集成电路制造工艺已发展到12英寸晶片、纳米技术节点时期。随着晶圆片尺寸越来越大，单元器件尺寸越来越小，对半导体工艺设备的性能要求也就越来越高。离子注入机是半导体集成电路器件制造工艺中必不可少的关键设备。为了提高离子注入机的性能，使其满足现代大晶圆片、纳米器件生产工艺的要求和适应将来半导体工艺技术的发展，必须要开发高效的全自动控制系统。

离子注入机中，有许多的电源，包括高压源，电流源等等。这些电源的控制好坏直接影响了引出束流的稳定性。

通过更改电源设定值来寻找束流的最大值，是通过扫描一段区间内的束流值来获取的。这样对于电源的设定值做了限制，而且通常时间也比较长。

发明内容

本发明主要是为了更加准确，快速的寻找到束流的最大值。

具体步骤如下：

<1>根据不同电源，获取电源个性配置值，包括趋势差值DV，电源改变步长值SV(5)。

<2>获取初始的三组数据。将此时电源设定值及束流值作为第一组数据(ax，ay)(6)，然后计算新的电源设定值(bx＝ax+SV)并将其设定到电源(7)，待电源稳定后，将电源设定值及束流值作为第二组数据(bx，by)(8)，再计算新的电源设定值(cx＝bx+SV)并将其设定到电源(9)，待电源稳定后，将电源设定值及束流值作为第三组数据(cx，cy)(10)。

<3>判断三组数据的趋势。接收到三组数据值(11)，将第二组束流值减去第一组束流值得到差值D21，D21与趋势差值DV作比较(12)：

如果D21大于DV(13)，则将第三组束流值减去第二组束流值得到差值D32，D32与趋势差值DV作比较(15)：若D32小于DV(17)，则此时获得了类似于(3)所描述的二次曲线趋势(21)，接下来就可以获得取束流最大值时电源设定值：SetPoint＝ax+(cx-ax)*0.68，完成，退出(25)；若D32大于DV(18)，则此时获得了类似于(2)所描述的上升趋势(22)。

如果D21小于DV(14)，第三组束流值减去第二组束流值得到差值D32，D32与趋势差值DV作比较(16)：若D32小于DV(19)，则获得了类似于(4)所描述的下降趋势(23)；若DD32大于DV(20)，则趋势判断出错，退出(24)。

<4>根据获得的趋势更新数据，递归执行寻找束流最大值。根据获得的趋势来计算新的设定值，如果是上升趋势，则将第一组数据舍弃，将后两组数据前移，即：ax＝bx，ay＝by，bx＝cx，by＝cy。cx＝bx+SV，设定新值并获取新的束流值cy.如果是下降趋势，则将第三组数据舍弃，同时将前两组数据后移，即：cx＝bx，cy＝by，bx＝ax，by＝ay.ax＝bx-SV，设定新值并获取新的束流值ay(26)，然后将新获得的三组数据传递给趋势判断算法(11)，进行下一轮的判断。

本发明具有如下显著优点：

1.对于电源的扫描范围无限制。

2.更加快速。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明作进一步详细描述，但不作为对本发明专利的限定。

如图2所示，我们想要扫描聚焦电源的设定值来获取最大的束流值。首先获取电源聚焦电源的个性配置值，例如趋势差值0.002mA，电源改变步长值0.5kV。

然后获取初始的三组数据。将此时聚焦电源设定值及束流值作为第一组数据，例如(10kV，1.500mA)(6)，然后计算新的电源设定值(bx＝10kV+0.5Kv＝10.5kV)并将其设定到聚焦电源(7)，待聚焦电源稳定后，将设定值及束流值作为第二组数据，例如(10.5kV，1.510mA)(8)，再计算新的电源设定值(cx＝10.5kV+0.5kV＝11kV)并将其设定到电源(9)，待电源稳定后，将电源设定值及束流值作为第三组数据，例如(11kV，1.511)(10)。

接下来判断这三组数据的趋势。将第二组束流值减去第一组束流值得到差值D21＝0.010mA，D21与趋势差值DV(0.002mA)作比较(12)：