[发明专利]一种引出抑制浪涌保护装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种引出抑制浪涌保护装置，特别地涉及一种用于离子注入机的引出抑制浪涌保护装置。

背景技术

随着半导体器件集成度越来越高，半导体工艺设备越来越复杂，对离子源的的束流要求也越来越高。在半导体制造工艺设备离子注入机中，离子源引出系统是整机设备关键部件之一，其决定离子源系统的引出束流大小、引出能量大小、引出束流品质及束稳定性能。然而在许多离子源中采用了三电极引出系统，这三个电极分别叫做正电极、负电极和地电极。引出抑制即加在负电极和地电极间的电场，其能大大减小离子束的空间电荷效应，还可以调节引出离子束的发散角。

发明内容

针对现有半导体工艺中离子注入机设备发展的要求，本发明设计了一种用于离子注入机离子源引出系统保护和吸收引出抑制电极的放电电流装置。

本发明通过以下技术方案实现：

一种引出抑制浪涌保护装置，包括：底座(1)、十字沉头螺钉(2)、PCB支件(3)、半圆螺钉(4)、绝缘筒(5)、高压电阻(6)、高压二极管(7)、印制板(8)、半圆螺钉(9)、电极(10)、弹簧(11)、插销导管(12)、顶盖(13)和高压连接器(14)。

其中所述底座(1)和所述顶盖(13)通过所述十字沉头螺钉(2)与绝缘筒(5)相连；其中所述PCB支件(3)通过所述半圆螺钉(4)与印制板(8)相连，再固定在底座(1)上；其中所述高压电阻(6)和高压二极管(7)直接焊接在印制板(8)上；其中所述电极(10)通过半圆螺钉(9)与印制板(8)相连；其中所述高压连接器(14)安装在顶盖(13)上；所述弹簧(11)固定在电极(10)上。

所述高压电阻(6)间通过并联的方式进行焊接，所述高压二极管(7)根据负载需要通过串联的方式相连。其中所述高压电阻(6)间与高压二极管(7)串联。

本发明专利具有如下显著优点：

1.结构连接稳定可靠，性能好特点；

2.结构连接操作方便，保证长期工作的可靠稳定性；

3.所述的高压电阻(6)的阻值可以根据具体情况增加或减少；所述的高压二极管(7)的耐压范围可以适当的增加或减少高压二极管的数量以及提高或降低单个高压二极管的反向击穿电压来满足负载的需求。

附图说明

下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步介绍，但不作为对本发明专利的限定。

图1引出抑制浪涌保护装置的剖面图；

图2引出抑制浪涌保护装置一种实施方式的示意图。

具体实施方式

下面结合附图的具体实施例对本发明作进一步介绍，应该理解，这些描述都是说明性的，本发明不限于此。本发明的范围仅由所附权利要求的范围所限定。

图1中示出了一种引出抑制浪涌保护装置，其包括：底座(1)、十字沉头螺钉(2)、PCB支件(3)、半圆螺钉(4)、绝缘筒(5)、高压电阻(6)、高压二极管(7)、印制板(8)、半圆螺钉(9)、电极(10)、弹簧(11)、插销导管(12)、顶盖(13)和高压连接器(14)。

其中所述底座(1)和所述顶盖(13)通过所述十字沉头螺钉(2)与绝缘筒(5)相连；其中所述PCB支件(3)通过所述半圆螺钉(4)与印制板(8)相连，再固定在底座(1)上；其中所述高压电阻(6)和高压二极管(7)直接焊接在印制板(8)上；其中所述电极(10)通过半圆螺钉(9)与印制板(8)相连；其中所述高压连接器(14)安装在顶盖(13)上；所述弹簧(11)固定在电极(10)上，用于增大与引出抑制输出线的接触面积。

所述高压电阻(6)间通过并联的方式进行焊接，所述高压二极管(7)通过串联的方式相连。其中所述高压电阻(6)间与高压二极管(7)串联。所述的高压电阻(6)的阻值可以根据具体情况增加或减少；所述的高压二极管(7)的耐压范围也可以适当的增加或减少高压二极管的数量以及提高或降低单个高压二极管的反向击穿电压来满足负载的需求。

在图2引出抑制浪涌保护装置的实施方式示意图中，高压电阻R1、R2、R3、R4和R5并联，高压二极管D1、D2、D3、D4、D5、D6、D7和D8依次串联后与并联后的电阻串联。高压电阻R1、R2、R3、R4和R5采用阻值为500欧姆，功率为12.5W的金属膜电阻来吸收离子源及引出系统因打火引起的放电电流；高压二极管D1、D2、D3、D4、D5、D6、D7和D8采用耐压12KV型号为HDM12串联，来防止引出抑制电极因打火累积过高的电压击穿引出抑制电源倍压部分。