[发明专利]衬底处理设备和制造半导体器件的方法有效
申请号: | 201110241510.4 | 申请日: | 2011-08-17 |
公开(公告)号: | CN102446796A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | 中田高行;谷山智志 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立国际电气 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 处理 设备 制造 半导体器件 方法 | ||
1.一种衬底处理设备,包括:
处理室,在所述处理室中对衬底进行处理;
衬底保持器,配置成在保持所述衬底的同时被加载到所述处理室中或者从所述处理室卸载;
转移室,在所述转移室中进行用于促使所述衬底保持器保持未经处理的衬底的装载操作和用于从所述衬底保持器取出经处理的衬底的卸除操作;以及
清洁单元,配置成用于将清洁空气吹入所述转移室,其中所述转移室具有多边形平面视图形状,并且所述清洁单元被布置在所述转移室的第一角落区域中。
2.根据权利要求1所述的设备,进一步包括:
排气单元,配置成用于通过所述排气单元将所述转移室内存在的气体排出,所述排气单元被布置在所述转移室的第二角落区域中。
3.根据权利要求1所述的设备,进一步包括:
空气扩散器,配置成用于将从所述清洁单元吹出的清洁空气分布在至少三个不同方向上。
4.根据权利要求1所述的设备,进一步包括:
气流循环路径,通过所述气流循环路径从所述转移室排出的空气可以通过所述清洁单元而重新供应到所述转移室中;以及
调节风门,配置成用于控制流动经过所述气流循环路径的空气的流动速率,所述调节风门被配置成用于通过控制所述空气的流动速率而调整供应到所述转移室中的所述空气的压力。
5.一种用于制造半导体器件的方法,所述方法包括:
加载前转移步骤,用于在与处理室连通的转移室内进行装载操作,通过所述装载操作,促使衬底保持器在所述衬底保持器被加载到所述处理室中之前保持未经处理的衬底;
将保持所述未经处理的衬底的所述衬底保持器从所述转移室加载到所述处理室中;
对由加载到所述处理室中的所述衬底保持器保持的所述衬底进行处理;
将保持经处理的衬底的所述衬底保持器从所述处理室卸载到所述转移室中;以及
加载后转移步骤,用于执行卸除操作,通过所述卸除操作,由从所述处理室卸载的所述衬底保持器保持的所述经处理的衬底被从所述衬底保持器取出,
其中在所述加载前转移步骤与所述加载后转移步骤中的至少一个期间,由清洁单元将清洁空气吹入所述转移室,所述转移室被配置成具有多边形平面视图形状,所述清洁单元被布置在所述转移室的角落区域中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造