[发明专利]衬底处理设备和制造半导体器件的方法有效

专利信息
申请号: 201110241510.4 申请日: 2011-08-17
公开(公告)号: CN102446796A 公开(公告)日: 2012-05-09
发明(设计)人: 中田高行;谷山智志 申请(专利权)人: 株式会社日立国际电气
主分类号: H01L21/677 分类号: H01L21/677
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 衬底 处理 设备 制造 半导体器件 方法
【权利要求书】:

1.一种衬底处理设备,包括:

处理室,在所述处理室中对衬底进行处理;

衬底保持器,配置成在保持所述衬底的同时被加载到所述处理室中或者从所述处理室卸载;

转移室,在所述转移室中进行用于促使所述衬底保持器保持未经处理的衬底的装载操作和用于从所述衬底保持器取出经处理的衬底的卸除操作;以及

清洁单元,配置成用于将清洁空气吹入所述转移室,其中所述转移室具有多边形平面视图形状,并且所述清洁单元被布置在所述转移室的第一角落区域中。

2.根据权利要求1所述的设备,进一步包括:

排气单元,配置成用于通过所述排气单元将所述转移室内存在的气体排出,所述排气单元被布置在所述转移室的第二角落区域中。

3.根据权利要求1所述的设备,进一步包括:

空气扩散器,配置成用于将从所述清洁单元吹出的清洁空气分布在至少三个不同方向上。

4.根据权利要求1所述的设备,进一步包括:

气流循环路径,通过所述气流循环路径从所述转移室排出的空气可以通过所述清洁单元而重新供应到所述转移室中;以及

调节风门,配置成用于控制流动经过所述气流循环路径的空气的流动速率,所述调节风门被配置成用于通过控制所述空气的流动速率而调整供应到所述转移室中的所述空气的压力。

5.一种用于制造半导体器件的方法,所述方法包括:

加载前转移步骤,用于在与处理室连通的转移室内进行装载操作,通过所述装载操作,促使衬底保持器在所述衬底保持器被加载到所述处理室中之前保持未经处理的衬底;

将保持所述未经处理的衬底的所述衬底保持器从所述转移室加载到所述处理室中;

对由加载到所述处理室中的所述衬底保持器保持的所述衬底进行处理;

将保持经处理的衬底的所述衬底保持器从所述处理室卸载到所述转移室中;以及

加载后转移步骤,用于执行卸除操作,通过所述卸除操作,由从所述处理室卸载的所述衬底保持器保持的所述经处理的衬底被从所述衬底保持器取出,

其中在所述加载前转移步骤与所述加载后转移步骤中的至少一个期间,由清洁单元将清洁空气吹入所述转移室,所述转移室被配置成具有多边形平面视图形状,所述清洁单元被布置在所述转移室的角落区域中。

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