[发明专利]发光二极管与其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管，具有一基板、一N型半导体层、一主动层、一P型半导体层、一电流扩散层与一第一金属电极，其特征在于，该P型半导体层与该电流扩散层之间具有由该P型半导体层中所掺杂的金属离子与氢键结后所产生的一电流阻挡层以阻挡电流由该电流阻挡层的区域通过。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该电流阻挡层的位置对应于该第一金属电极的位置以阻挡电流自该电流阻挡层通过而发光。

3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，透明电极是部份直接形成在该电流阻挡层上。

4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，主动层为量子井主动层。

5.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该N型半导体形成在该基板上；该主动层形成在该N型半导体层与该P型半导体层之间；该电流阻挡层形成在该P型半导体层上且位于该电流扩散层与该P型半导体层之间；该第一金属电极形成在该P型半导体层上。

6.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该发光二极管还包括一第二金属电极，连接于该N型半导体层。

7.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该基板为蓝宝石基板。

8.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，掺杂在该P型半导体层中的金属离子包括镁离子，该电流阻挡层由镁-氢键结形成。

9.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该P型半导体层与该电流扩散层之间还具有由硅化物形成的一隔离层，该隔离层形成在该电流阻挡层之上。

10.如权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，该隔离层的厚度小于10000埃。

11.一种发光二极管的制造方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

形成一发光二极管平台于该基板上，该发光二极管平台至少包括一N型半导体层、一主动层与一P型半导体层；

以硅甲烷或乙硅烷为反应气体形成一隔离层于在该P型半导体层之上；

经由热处理程序，使该隔离层中的氢气与该P型半导体层中的金属离子产生键结以在该P型半导体层的表面上形成一电流阻挡层；

形成一电流扩散层以覆盖该电流阻挡层之上方；以及

形成一第一金属电极于该电流扩散层上。

12.如权利要求11所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，在执行热处理程序的步骤中，其回火温度为摄氏500℃至600℃，反应时间为5分钟。

13.如权利要求11所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，还包括：

形成一第二金属电极以连接该N型半导体层。

14.如权利要求11所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，该发光二极管平台是通过磊晶工艺形成，且其磊晶工艺中使用氢气作为载流气体。

15.如权利要求11所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，掺杂在该P型半导体层中的金属离子包括镁离子，该电流阻挡层由镁-氢键结形成。

16.如权利要求11所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，该基板为蓝宝石基板；该主动层为量子井主动层。

17.如权利要求11所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，该隔离层为氮化硅。

18.如权利要求11所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，在形成该电流扩散层之前还包括去除该隔离层。

19.如权利要求11所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，该隔离层的厚度小于10000埃。