[发明专利]一种氧化物TFT阵列基板及其制造方法和电子器件无效
| 申请号： | 201110241809.X | 申请日： | 2011-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN102629574A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 袁广才;吴仲远;段立业 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 韩国胜;王莹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 tft 阵列 及其 制造 方法 电子器件 | ||
1.一种氧化物TFT阵列基板的制造方法，包括步骤：
M1、在基板上依次制备栅电极(402a)和栅极绝缘层(403)；
M2、制备有源层(404)和阻挡层(405)；
M3、形成数据线、电源线和接触孔，并制备像素电极；
其特征在于，所述步骤M2包括：
S305、在栅极绝缘层(403)上形成有源层氧化物半导体；
S306、有源层(404)上形成阻挡层(405)；
S307、对有源层(404)和阻挡层(405)进行图形化；
S308、对阻挡层(405)进行二次图形化。
2.如权利要求1所述的氧化物TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤S307使用有源层掩模板进行图形化，使有源层(404)和阻挡层(405)形成有源层图案。
3.如权利要求1所述的氧化物TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤S308采用阻挡层掩模板进行二次图形化，使阻挡层(405)形成阻挡层图案。
4.如权利要求1所述的氧化物TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤S307中使用干法刻蚀或者湿法刻蚀对有源层(404)和阻挡层(405)进行图形化。
5.如权利要求1所述的氧化物TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤S308中使用干法刻蚀或者湿法刻蚀对阻挡层(405)进行图形化。
6.如权利要求1所述的氧化物TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤S305中使用磁控溅射沉积法或者溶液法在栅极绝缘层(403)上形成有源层氧化物半导体。
7.如权利要求1所述的氧化物TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，所述氧化物半导体材料为IGZO、ITGO、IZO或ITO。
8.一种氧化物TFT阵列基板，包括栅电极、栅绝缘层、有源层、阻挡层、数据线和像素电极，其特征在于，所述有源层和阻挡层是通过同步连续刻蚀工艺实现图形化的。
9.如权利要求8所述的氧化物TFT阵列基板，其特征在于，所述有源层的材料为IGZO、ITGO、IZO或ITO。
10.一种电子器件，其特征在于，包括权利要求8或9所述的氧化物TFT阵列基板。
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