[发明专利]用铝箔做焊料制造平板二极管或晶闸管管芯的方法有效
申请号: | 201110241817.4 | 申请日: | 2011-08-23 |
公开(公告)号: | CN102306628A | 公开(公告)日: | 2012-01-04 |
发明(设计)人: | 洪忠健;洪藏华 | 申请(专利权)人: | 黄山市晨曦电器有限公司 |
主分类号: | H01L21/329 | 分类号: | H01L21/329;H01L21/332;H01L21/60 |
代理公司: | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人: | 余成俊 |
地址: | 245614 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 铝箔 焊料 制造 平板 二极管 晶闸管 管芯 方法 | ||
1.用铝箔做焊料制造平板二极管或晶闸管管芯的方法,其特征在于包括以下步骤:
(1)、已扩散硅片的切割;
(2)、在二极管或晶闸管裸片管芯的阳极与钼片之间放置一片300-400μm除去氧化膜层的铝箔,在真空环境下加热,使铝箔熔化,将裸片管芯焊接在阳极钼片上,以增强硅片的机械强度;
(3)、将二极管或晶闸管裸片管芯阴极、阳极钼片表面镀上光滑平整的铝膜;
(4)、在镀铝膜层后的二极管或晶闸管裸片管芯的上下表面均匀的凃上真空封蜡,使酸洗时管芯表面的镀铝膜层不被酸腐蚀;
(5)、磨角;
(6)、酸洗;
(7)、涂硅橡胶保护台面;
(8)、去真空封蜡保护层;
(9)、补涂硅橡胶;
(10)、真空包装。
2.根据权利要求1所述的用铝箔做焊料制造平板二极管或晶闸管管芯的方法,其特征在于所述铝箔的厚度为350μm左右。
3.根据权利要求1所述的用铝箔做焊料制造平板二极管或晶闸管管芯的方法,其特征在于所述的真空环境下加热是指:真空度达到3×10-3Pa环境下加热至650℃恒温8-15分钟。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于黄山市晨曦电器有限公司,未经黄山市晨曦电器有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110241817.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造