[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

提供在所述半导体衬底之上的绝缘层；

提供在所述绝缘层之上的第一电阻元件；以及

与所述第一电阻元件电耦合的第二电阻元件，

其中所述第一电阻元件和所述第二电阻元件中的一个由氮化钛形成，并且

其中第一电阻元件和所述第二电阻元件中的另一个由氮化钽形成。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括多个布线层，

其中所述第一电阻元件和所述第二电阻元件经由所述绝缘层布置在于所述布线层的最高位置处布置的布线层之上。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二电阻元件与所述第一电阻元件串联地耦合。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第二电阻元件与所述第一电阻元件并联地耦合。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二电阻元件堆叠在所述第一电阻元件之上，从而使得所述第二电阻元件与所述第一电阻元件直接接触。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第一电阻元件和所述第二电阻元件包括在恒定电压电路中，所述恒定电压电路用于通过流过所述第一电阻元件和所述第二电阻元件的恒定电流的流动而生成恒定电压。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，

其中所述恒定电压电路包括：

多个电阻元件，各自包括第一电阻元件和第二电阻元件，并且所述第一电阻元件和第二电阻元件彼此电耦合；以及

分别耦合到所述电阻元件的多个晶体管。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述恒定电压电路包括在振荡电路中。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述振荡电路包括在微计算机的芯片中。