[发明专利]聚合物阻隔移除抛光浆料

权利要求书

1.一种用于化学机械抛光含有铜互连的半导体基材的水性浆料，以重量百分数计，所述浆料包括0-25的氧化剂，0.1-50的研磨颗粒，0.001-10用于减少铜互连静态蚀刻的抑制剂，0.001-5的具有如下结构式的聚(甲基乙烯基醚)：

且聚(甲基乙烯基醚)是水溶性的，n值至少为5，0.005-1的氨基丁酸，0.01-5的含磷化合物，0-10的铜络合剂以及余量的水。

2.权利要求1所述水性浆料，其中该浆料包括0.1-5重量％的至少一种选自甲脒，甲脒衍生物，甲脒盐，胍，胍衍生物和胍盐及其混合物的物质。

3.权利要求1所述水性浆料，其中该浆料包括1-40重量％的胶体二氧化硅研磨颗粒。

4.一种用于化学机械抛光带有铜互连的半导体基材的水性浆料，以重量百分数计，该浆料包括0-20的氧化剂，0.5-50的研磨颗粒，0.005-10用于减少铜互连静态蚀刻的抑制剂，0.005-5的具有如下结构式的聚(甲基乙烯基醚)：

且聚(甲基乙烯基醚)是水溶性的，n值至少为10，0.01-0.75的氨基丁酸，0.02-3的含磷化合物，0-10的铜络合剂以及余量的水，且该水性浆料的pH值至少为8。

5.权利要求4所述水性浆料，其中该浆料包括0.01-3重量％的至少一种选自甲脒，甲脒衍生物，甲脒盐，胍，胍衍生物和胍盐及其混合物的物质。

6.权利要求4所述水性浆料，其中该浆料含有1-40重量％的胶体二氧化硅研磨颗粒。

7.权利要求4所述水性浆料，其中该浆料含有0.0001-1重量％的氯化铵。

8.权利要求4所述水性浆料，其中该浆料含有0.01-5重量％的铜络合剂。

9.一种抛光半导体基材的方法，该半导体基材具有铜层，TEOS层，低k介电层，所述方法包括如下步骤：

将抛光浆料加到抛光板上，以重量百分数计，该抛光浆料含有组分包括0-25的氧化剂，0.1-50的研磨颗粒，0.001-10用于减少铜互连静态蚀刻的抑制剂，0.001-5的具有如下结构式的聚(甲基乙烯基醚)：

且聚(甲基乙烯基醚)是水溶性的，n值至少为5，0.005-1的氨基丁酸，0.01-5的含磷化合物，0-10的铜络合剂以及余量的水。

将半导体基材压向抛光板上；

并且在抛光板和半导体基材间建立相对滑动，以在与掺碳氧化物层至少为1∶1的除去速率之比的选择性条件下除去阻隔层，所述除去速率以埃每分钟计算。

10.权利要求9所述方法，其中该工艺移除氮化钽层的速率高于碳掺杂低k介电层的移除速率，测定单位为