[发明专利]用于硫族合金的抛光液无效
申请号: | 201110243540.9 | 申请日: | 2011-07-01 |
公开(公告)号: | CN102382575A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
发明(设计)人: | 具滋澔;刘振东;K·沙旺特;K-A·K·雷迪 | 申请(专利权)人: | 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 |
主分类号: | C09G1/02 | 分类号: | C09G1/02;C23F3/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈哲锋 |
地址: | 美国特*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 合金 抛光 | ||
1.一种用于化学机械抛光硫族相变合金基材的化学机械抛光组合物,按重量百分比计,所述组合物包括水、0.1-30的胶体二氧化硅研磨剂、至少一种抛光剂,所述抛光剂选自0.05-5的卤素化合物、0.05-5的邻苯二甲酸、0.05-5的邻苯二甲酸酐及其盐、衍生物和其混合物,其中化学机械抛光组合物的pH为2-小于7。
2.权利要求1的化学机械抛光组合物,其中所述组合物包括0.05-5的卤素盐。
3.权利要求1的化学机械抛光组合物,其中所述组合物包括0.05-5的邻苯二甲酸。
4.权利要求3的化学机械抛光组合物,其中所述化学机械抛光组合物不含氧化剂。
5.权利要求1的组合物,其中所述硫族相变合金是锗-锑-碲相变合金;且其中所述化学机械抛光组合物在200mm抛光机中使用93转每分钟的平板转速、87转每分钟的载体转速、200ml/分钟的化学机械抛光组合物流动速度和2.5psi(17.2kPa)公称下压力的情况下显示出≥/分钟的锗-锑-碲相变合金去除速度,其中所述化学机械抛光垫包括含有聚合的中空有核微粒的聚氨酯抛光层和聚氨酯浸渍的非织造底垫。
6.一种用于化学机械抛光硫族相变合金基材的化学机械抛光组合物,按重量百分比计,所述组合物包括水、0.2-20的胶体二氧化硅研磨剂、至少一种抛光剂,所述抛光剂选自0.1-4的卤素化合物、0.1-4的邻苯二甲酸、0.1-4的邻苯二甲酸酐及其盐、衍生物和其混合物,其中所述化学机械抛光组合物的pH为2.5-6。
7.权利要求6的化学机械抛光组合物,其中所述组合物包括0.1-4的卤素盐。
8.权利要求6的化学机械抛光组合物,其中所述组合物包括0.14的邻苯二甲酸。
9.权利要求8的化学机械抛光组合物,其中所述化学机械抛光组合物不含氧化剂。
10.权利要求6的组合物,其中所述硫族相变合金是锗-锑-碲相变合金;且其中所述化学机械抛光组合物在200mm抛光机中使用93转每分钟的平板转速、87转每分钟的载体转速、200ml/分钟的化学机械抛光组合物流动速度和2.6psi(17.2kPa)公称下压力的情况下显示出≥/分钟的锗-锑-碲相变合金去除速度,所述化学机械抛光垫包括含有聚合的中空有核微粒的聚氨酯抛光层和聚氨酯浸渍的非织造底垫。
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