[发明专利]抛光硫族合金的方法

权利要求书

1.一种用于化学机械抛光基底的方法，所述方法包括：

提供基底，其中所述基底包括硫族相变合金；

提供化学机械抛光组合物，其中按重量百分比计，所述化学机械抛光组合物包括水、0.1-30的研磨剂、至少一种抛光剂，所述抛光剂选自0.05-5的卤素化合物、0.05-5的邻苯二甲酸、0.05-5的邻苯二甲酸酐及其盐、衍生物以及其混合物，其中所述化学机械抛光组合物的pH是2到小于7；

提供化学机械抛光垫；以及

用该化学机械抛光垫和该化学机械抛光组合物抛光所述基底，以选择性地或非选择性地从基底上除去硫族相变合金。

2.权利要求1的方法，其中所述硫族相变合金是锗-锑-碲相变合金；其中所述研磨剂含有氧化铝或氧化铈；其中所述基底进一步包括Si₃N₄和TEOS；并且，其中所述化学机械抛光组合物显示的锗-锑-碲相变合金相对Si₃N₄去除速度选择性的比为≥10∶1和锗-锑-碲相变合金相对TEOS去除速度选择性的比为≥10∶1。

3.权利要求1的方法，其中所述硫族相变合金是锗-锑-碲相变合金；其中所述研磨剂是胶体二氧化硅；其中所述基底进一步包括Si₃N₄和TEOS；并且，其中所述化学机械抛光组合物显示的锗-锑-碲相变合金相对Si₃N₄去除速度选择性的比为0.1∶1-10∶1和锗-锑-碲相变合金相对TEOS去除速度选择性的比为0.1∶1-10∶1。

4.权利要求3的方法，其中所述化学机械抛光组合物含有邻苯二甲酸或邻苯二甲酸酐且该化学机械抛光组合物不含氧化剂。

5.权利要求1的方法，其中所述硫族相变合金是锗-锑-碲相变合金；其中所述研磨剂是胶体二氧化硅；且其中所述化学机械抛光组合物在200mm抛光机中使用93转每分钟的平板转速、87转每分钟的载体转速、200ml/分钟的化学机械抛光组合物流动速度和2.5psi(17.2kPa)公称下压力的情况下显示出≥的锗-锑-碲相变合金去除速度，所述化学机械抛光垫包括含有聚合的中空有核微粒的聚氨酯抛光层和聚氨酯浸渍的非织造底垫。

6.一种用于化学机械抛光基底的方法，所述方法包括：

提供基底，其中所述基底包括硫族相变合金；

提供化学机械抛光组合物，其中按重量百分比计，所述化学机械抛光组合物包括水、0.1-20的研磨剂、至少一种抛光剂，所述抛光剂选自0.4-4的卤素化合物、0.1-4的邻苯二甲酸、0.1-4的邻苯二甲酸酐及其盐、衍生物以及其混合物，其中所述化学机械抛光组合物的pH是2.5-6；

提供化学机械抛光垫；以及

用该化学机械抛光垫和该化学机械抛光组合物抛光基底，以选择性地或非选择性地从基底上除去硫族相变合金。

7.权利要求6的方法，其中所述硫族相变合金是锗-锑-碲相变合金；其中所述研磨剂含有氧化铝或氧化铈；其中所述基底进一步包括Si₃N₄和TEOS；并且，其中所述化学机械抛光组合物显示的锗-锑-碲相变合金相对Si₃N₄去除速度选择性的比为≥15∶1和锗-锑-碲相变合金相对TEOS去除速度选择性的比为≥15∶1。

8.权利要求6的方法，其中所述硫族相变合金是锗-锑-碲相变合金；其中所述研磨剂是胶体二氧化硅；其中所述基底进一步包括Si₃N₄和TEOS；并且，其中所述化学机械抛光组合物显示的锗-锑-碲相变合金相对Si₃N₄去除速度选择性的比为0.2∶1-5∶1和锗-锑-碲相变合金相对TEOS去除速度选择性的比为0.2∶1-5∶1。

9.权利要求8的方法，其中化学机械抛光组合物含有邻苯二甲酸或邻苯二甲酸酐且该化学机械抛光组合物不含氧化剂。

10.权利要求6的方法，其中所述硫族相变合金是锗-锑-碲相变合金；其中所述研磨剂是胶体二氧化硅；且其中所述化学机械抛光组合物在200mm抛光机中使用93转每分钟的平板转速、87转每分钟的载体转速、200ml/分钟的化学机械抛光组合物流动速度和2.5psi(17.2kPa)公称下压力的情况下显示出≥的锗-锑-碲相变合金去除速度，所述化学机械抛光垫包括含有聚合的中空有核微粒的聚氨酯抛光层和聚氨酯浸渍的非织造底垫。