[发明专利]一种提高SAP工艺中积层基材与积层导体层的结合力的方法有效
申请号: | 201110243901.X | 申请日: | 2011-08-24 |
公开(公告)号: | CN102307437A | 公开(公告)日: | 2012-01-04 |
发明(设计)人: | 方军良;付海涛 | 申请(专利权)人: | 上海美维科技有限公司 |
主分类号: | H05K3/38 | 分类号: | H05K3/38 |
代理公司: | 上海开祺知识产权代理有限公司 31114 | 代理人: | 竺明 |
地址: | 201613 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 sap 工艺 中积层 基材 导体 结合 方法 | ||
1.一种提高SAP工艺中积层基材与积层导体层的结合力的方法,其包括如下步骤:
1)对金属箔进行表面粗糙处理,处理后金属箔的粗糙度为:Ra为0.2微米~5微米,Rz为2微米~20微米;
2)将金属箔与尚未完全固化的积层基材和/或芯板层压固化;
3)将层压后的板的外层金属箔用物理或者化学腐蚀的方法减薄到适合激光直接钻孔的厚度;
4)将层压并减薄后的板的外层金属箔进行表面处理,表面处理包括研磨、腐蚀、棕化、粗化、超粗化中一种以上,以增加金属箔对激光的吸收;处理后金属箔的粗糙度为:Ra为0.3微米~3微米,Rz为1微米~10微米;
5)在经过表面处理的外层金属箔上进行激光直接钻孔,形成微盲孔,然后进行机械钻孔形成通孔;
6)进行去钻污,去除微盲孔和通孔中的钻污;
7)将外层金属箔通过化学腐蚀去除,露出粗糙的积层基材表面;
8)在积层基材表面进行后续一般的导体层积层SAP工艺,如化学镀积层导体、电镀积层导体和积层导体图形制作。
2.如权利要求1所述的提高SAP工艺中积层基材与积层导体层的结合力的方法,其特征是:步骤1)对金属箔进行粗糙处理包括研磨、腐蚀、电镀、棕化、粗化、或超粗化中一种以上。
3.如权利要求1所述的提高SAP工艺中积层基材与积层导体层的结合力的方法,其特征是:所述的积层基材采用热固性树脂或热塑性树脂。
4.如权利要求3所述的提高SAP工艺中积层基材与积层导体层的结合力的方法,其特征是:所述的热固性树脂包括环氧树脂、酚醛树脂、聚双马来酰亚胺三嗪树脂、聚氰酸酯树脂、ABF、环氧基聚苯醚、聚酰亚胺;所述的热塑性树脂包括聚四氟乙烯、聚对苯二甲酸丁二酯树脂。
5.如权利要求1所述的提高SAP工艺中积层基材与积层导体层的结合力的方法,其特征是:步骤3)金属箔与积层基材和/或芯板层压后,将层压后的板的外层的金属箔用物理或者化学腐蚀的方法进行减薄,减薄后金属箔的厚度为3微米~12微米。
6.如权利要求1所述的提高SAP工艺中积层基材与积层导体层的结合力的方法,其特征是:步骤5)对金属箔进行适合激光直接钻孔的表面处理包括研磨、腐蚀、棕化、粗化、或超粗化中的一种以上。
7.如权利要求1所述的提高SAP工艺中积层基材与积层导体层的结合力的方法,其特征是:所述的激光钻孔采用CO2或UV激光,如果使用UV激光钻孔,则可以在减薄后不对金属箔进行适合激光直接钻孔的表面处理。
8.如权利要求1所述的提高SAP工艺中积层基材与积层导体层的结合力的方法,其特征是:在实施步骤8)前,对通过化学腐蚀的方法去除金属箔后露出的积层基材先进行表面处理,包括去钻污,或等离子工艺。
9.如权利要求1或2或5或6或7所述的提高SAP工艺中积层基材与积层导体层的结合力的方法,其特征是:所述的金属箔为金、银、铜、锡、铅、铝、铁、镍、钴、锌中的一种,或锡铅合金、铜银合金、铜锌合金、铜镍合金、铁镍合金、铁钴镍合金、铁锌合金中的一种。
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