[发明专利]一种双向双通道的瞬态电压抑制器

权利要求书

1.一种双向双通道的瞬态电压抑制器，其特征在于：包括P+衬底层，所述的P+衬底层上从左到右依次设有第一隔离槽、第一N+埋层、第二隔离槽、第一P-外延区、第三隔离槽、第二P-外延区、第四隔离槽、第三P-外延区、第五隔离槽、第二N+埋层、第六隔离槽；

所述的第一N+埋层和第二N+埋层上分别设有第一N注入区和第二N注入区；

所述的第一P-外延区和第三P-外延区上分别设有第一N+有源注入区和第二N+有源注入区；

所述的第一N注入区、第二P-外延区和第二N注入区上分别设有第一P+有源注入区、第二P+有源注入区和第三P+有源注入区；

所述的第一P+有源注入区和第一N+有源注入区通过第一金属电极相连；所述的第三P+有源注入区和第二N+有源注入区通过第二金属电极相连；所述的第二P+有源注入区与接地电极相连。

2.根据权利要求1所述的双向双通道的瞬态电压抑制器，其特征在于：所述的第一P-外延区、第二P-外延区和第三P-外延区的掺杂浓度为3×10¹⁶～2×10¹⁷atom/cm³，厚度为3～4.5um。

3.根据权利要求1所述的双向双通道的瞬态电压抑制器，其特征在于：所述的第一N注入区和第二N注入区的掺杂浓度为3×10¹⁶～2×10¹⁷atom/cm³。

4.根据权利要求1所述的双向双通道的瞬态电压抑制器，其特征在于：所述的第一N+埋层和第二N+埋层的掺杂浓度为3×10¹⁸～1×10¹⁹atom/cm³，厚度为1～1.5um。

5.根据权利要求1所述的双向双通道的瞬态电压抑制器，其特征在于：所述的第一隔离槽、第二隔离槽、第三隔离槽、第四隔离槽、第五隔离槽和第六隔离槽的宽度为1.5～2um，深度为6～8um。

6.根据权利要求1所述的双向双通道的瞬态电压抑制器，其特征在于：所述的第一P+有源注入区和第三P+有源注入区的宽度分别为所述的第一N+埋层和第二N+埋层的宽度的0.4～0.7倍。