[发明专利]一种利用凹面镜形透明YAG陶瓷或晶体提高LED芯片光效的封装结构

权利要求书

1. 一种利用凹面镜形透明YAG陶瓷或晶体提高LED芯片光效的封装结构，包括：一高反射率凹面镜形封装基座，其上表面为抛物线旋转面，并进行抛光或镀有高反射金属层；一透明YAG陶瓷或晶体，YAG陶瓷或晶体的上表面水平，下表面与所述凹面镜形封装基座的上表面吻合，所述透明YAG陶瓷或晶体的上表面正好处于所述凹面镜的焦平面上；第一引线框和第二引线框，用以分别引出LED芯片的两极；普通LED芯片，安装于所述透明YAG陶瓷或晶体的上表面且处于所述凹面镜的焦点上，以导线连接至第一引线框和第二引线框；密封物，通过透明树脂或混合透明树脂和荧光剂形成，将LED芯片封于其内，以完成LED封装结构。

2. 根据权利要求1所述的一种利用凹面镜形透明YAG陶瓷或晶体提高LED芯片光效的封装结构，其特征在于：所述的高反射率凹面镜形基座，其上表面为抛物线旋转面，其最大直径应为LED芯片边长尺寸的6.5~7.5倍，其深度应为LED芯片边长尺寸的2~2.5倍，其凹面镜表面可进行抛光或镀高反射率的金属层以提高光的反射率，该凹面镜用于将从LED芯片背面发出的光通过凹面镜反射成为平行光并使之从正面发射出来。

3. 根据权利要求1或2所述的一种利用凹面镜形透明YAG陶瓷或晶体提高LED芯片光效的封装结构，其特征在于所述的透明YAG陶瓷或晶体，其上表面水平，下表面与基座凹面镜为同一抛物线旋转面，YAG陶瓷的尺寸为：上表面的直径为LED芯片边长尺寸的6倍，其横截面的高度为LED芯片边长尺寸的1.5倍，这样的设计是为了使YAG陶瓷或晶体的上表面正好处于凹面镜的焦平面上，其作用在于YAG陶瓷或晶体与普通LED芯片的蓝宝石衬底界面处不会发生光的全反射，从而最大限度地取出由衬底发出的光。

4. 根据权利要求1所述的一种利用凹面镜形透明YAG陶瓷或晶体提高LED芯片光效的封装结构，其特征在于所述LED芯片的结构为正面出光的发光二极管，其结构包括蓝宝石衬底，其上依次为GaN缓冲层、n型GaN层、发光层、p型GaN层，以及分别从n型GaN层和p型GaN层引出的n型电极和p型电极，所述的普通LED芯片安装于YAG陶瓷或晶体的上表面且处于所述凹面镜的焦点上，以导线连接至第一引线框和第二引线框，并最终将LED芯片、凹面镜形基座、透明YAG陶瓷或晶体，第一和第二引线框封装于密封物内。