[发明专利]发光二极管结构及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管结构，包括：

一基板，其上具有一第一半导体层、一发光层及一第二半导体层，其中该发光层及该第一半导体层依序堆栈于该第二半导体层上，且该第一及该第二半导体层具有相反的导电型态，且其中该第一半导体层包含一第一层及一第二层，该第一层的导电性较该第二层高；

一第一接触电极，位于第二半导体层与该基板之间，并具有一突出部分延伸至该第一半导体层中；

一阻障层，顺应性覆盖于该第一接触电极上，但暴露出该突出部分的顶部；以及

一第二接触电极，位于该第二半导体层及该第一接触电极之间，与第二半导体层直接接触，且藉由阻障层与该第一接触电极电性隔离。

2.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其中该第一层包含GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、GaP、GaAsP、GaInP、AlGaInP、AlGaAs或前述的组合。

3.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其中该第二层包含GaN、AlGaN、AlInGaN、GaP、GaAsP或前述的组合。

4.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其中该第二层堆栈于该第一层上。

5.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其中该第一层堆栈于该第二层上。

6.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其中该第一层具有一第一掺杂浓度，该第二层具有一第二掺杂浓度，且该第一掺杂浓度高于该第二掺杂浓度。

7.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其中该第一层的掺杂浓度介于1E18至5E19之间。

8.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其中该第二接触电极与该第一接触电极的突出部分具有至少约10μm的水平间隔。

9.一种发光二极管结构的制造方法，包括：

提供一第一基板；

依序形成一第一半导体层、一发光层及一第二半导体层于该第一基板上，其中该第一及该第二半导体层具有相反的掺杂型态，且其中该第一半导体层包含一第一层及一第二层，该第一层的导电性较该第二层高；

形成一第一开口穿透该第二半导体层及该发光层并延伸至该第一半导体层中；

形成一第一接触电极于该第二半导体层的上表面上；

形成一阻障层，覆盖该第一接触电极及内衬于该第一开口中；

形成一第二接触电极，覆盖该阻障层且填满该第一开口；以及

形成一第二基板于该第二接触电极上，并移除该第一基板。

10.根据权利要求9所述的发光二极管结构的制造方法，其中该第一层包含GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、GaP、GaAsP、GaInP、AlGaInP、AlGaAs或前述的组合。

11.根据权利要求9所述的发光二极管结构的制造方法，其中该第二层包含GaN、AlGaN、AlInGaN、GaP、GaAsP或前述的组合。

12.根据权利要求9所述的发光二极管结构的制造方法，其中形成该第一半导体层包含：

外延生长该第一层于该发光层上；及

外延生长该第二层于该第一层上。

13.根据权利要求9所述的发光二极管结构的制造方法，其中形成该第一半导体层包含：

外延生长该第二层于该发光层上；及

外延生长该第一层于该第二层上。

14.根据权利要求9所述的发光二极管结构的制造方法，其中形成该第一半导体层包含：

形成该第一层于该发光层上；

对该第一层进行一或多次布植步骤，以使一部分的该第一层具有一第一掺杂浓度，且一部分的该第一层形成一具有第二掺杂浓度的该第二层，其中该第一掺杂浓度高于该第二掺杂浓度。

15.根据权利要求14所述的发光二极管结构的制造方法，其中该第一掺杂浓度介于1E18至5E19之间。

16.根据权利要求9所述的发光二极管结构的制造方法，其中该依序形成该第一半导体层、该发光层及该第二半导体层于该第一基板上的步骤包含：

形成该第一半导体层；

在该第一半导体层中形成一第二开口；

形成一牺牲组件于该第二开口中，且凸出于该第一半导体层外；

依序形成该发光层及该第二半导体层于该第一半导体层上，且至少覆盖该牺牲组件的侧壁；及

移除该牺牲组件，形成该第一开口。