[发明专利]边缘场切换式液晶显示器的像素结构有效

专利信息
申请号: 201110246300.4 申请日: 2011-08-24
公开(公告)号: CN102253557A 公开(公告)日: 2011-11-23
发明(设计)人: 黄俊智;邱旭平;黄士峰 申请(专利权)人: 华映视讯(吴江)有限公司;中华映管股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1335;G02F1/1337
代理公司: 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人: 胡晶
地址: 215217 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 边缘 切换 液晶显示器 像素 结构
【说明书】:

技术领域

发明是有关于一种液晶显示器的像素结构,特别有关于一种边缘场切换式液晶显示器的像素结构。

背景技术

与CRT显示器相比,视角特性差一直是传统LCD显示器的一大缺憾。为解决此一问题,平面转换式(In-Plane Switching, IPS)液晶显示器及边缘电场切换式 (Fringe Field Switching, FFS)液晶显示器已被开发出来。IPS式液晶显示器的公共(common)电极与像素电极是设置于同一基板上,利用公共电极与像素电极间产生的横向水平电场使液晶分子于平面上转动。该种平面内旋转型液晶显示装置可显著提高液晶显示装置的视角,但因其公共电极与像素电极设置于同一基板上,其开口率偏低。

FFS技术改进IPS式液晶显示器的电极设置方式,其将IPS式液晶显示器的不透明金属公共电极改为透明的公共电极并作成板状以增加透射率,从而可改善IPS式液晶显示器开口率不足的缺陷。此外,FFS式液晶显示器的正负电极不像IPS式液晶显示器的正负电极为间隔排列,而是将正负电极通过绝缘层分离重叠排列,可大大地缩小电极宽度和间距,这种设计可使电场分布更密集。

请参阅图1及图2,图1是一种公知技术的FFS式液晶显示器的像素结构俯视示意图,图2是图1的沿AA’联机的剖面示意图。该FFS式液晶显示器的像素结构10包括一第一基板11、一第二基板12,及夹于该第一基板11与该第二基板12之间的液晶层13。该第一基板11邻近该液晶层13一侧依序层迭设置一公共电极14、一绝缘层15、一像素电极16及一第一配向膜17。该第二基板12邻近该液晶层13一侧依序设置一色层18、一保护层(over coating)19及一第二配向膜20。该保护层19在此是用于使该色层18内的黑色矩阵(black matrix, BM)182及彩色光阻184无高低落差,即使表面平坦化,以利于该第二配向膜20涂布平坦。

如图1所示,该第一基板11上还设置复数扫描线111、复数数据线112及储存电容电极113,该复数扫描线111及该复数数据线112绝缘相交以界定复数像素单元(未图标)。该扫描线111与该数据线112相交处设置一薄膜晶体管110。每一像素单元内该像素电极16与该公共电极14相重迭,该像素电极16为梳状结构,该公共电极14为平板状结构。当该像素电极16未被施加一电压时,液晶分子为顺着配向方向排列,即平行扫描线111方向排列。

如图2所示,当于该像素电极16被施加一电压时,该像素电极16与该公共电极14之间产生边缘电场130,在该电场的作用下液晶分子在水平面内旋转。液晶分子被旋转至与该像素电极16的梳状结构的隙缝(请参见图1)成垂直的方向,以控制背光的透出。

然而,当该像素电极16未被施加一电压时,理论上背光皆无法透过液晶层13。但实际上,因覆盖在薄膜晶体管110、储存电容电极113、及像素电极16边缘上的第一配向膜17并不平整,其具有高低落差,使得该些区域上的液晶分子的配向方向并非完全水平。因此,该些区域会有些许漏光产生。此外,该些区域的电场并非如图2所示的边缘电场130一样,其是为紊乱的电场,此将产生不正确的画面显示。

在公知技术中为了解决上述问题,在第二基板12上的色层18中设置不透光的黑色矩阵182,藉以遮文件该些区域的漏光。另外,还可在第一基板11上将金属材质的面积加大,以遮蔽背光的透出。惟,上述方法皆有导致面板开口率下降的缺点。

发明内容

有鉴于此,本发明的目的在于提供一种边缘电场切换式液晶显示器的像素结构,其可解决公知漏光的问题,且可减少黑色矩阵的面积、甚至不需黑色矩阵,进而增加面板的开口率以解决上述问题。

为达上述的目的,本发明较佳实施例的边缘电场切换式液晶显示器的像素结构包含一基板、一扫描线、一数据线、一薄膜晶体管、一公共电极、一像素电极及一图案化绝缘层。该扫描线设置于该基板上。该数据线绝缘相交于该扫描线,该数据线及该扫描线界定出一像素单元。该薄膜晶体管设置于该数据线及该扫描线相交处。该公共电极设置于该基板上的该像素单元内。该像素电极绝缘地设置于该公共电极上,该像素电极对应该公共电极产生一边缘电场。该图案化绝缘层,设置于该扫描线及薄膜晶体管上方,且露出该像素单元,该图案化绝缘层用以该局限该边缘电场于该像素单元内。

在一较佳实施例中,该像素电极覆盖于该薄膜晶体管及该扫描线上方。此外,该图案化绝缘层覆盖于部分该像素电极上方。较佳地,该图案化绝缘层是以氮化硅或氧化硅制成。

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