[发明专利]AMOLED像素单元驱动电路和方法、像素单元以及显示装置有效
申请号: | 201110247221.5 | 申请日: | 2011-08-25 |
公开(公告)号: | CN102708786A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 谭文;祁小敬 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G09G3/32 | 分类号: | G09G3/32 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;赵爱军 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | amoled 像素 单元 驱动 电路 方法 以及 显示装置 | ||
1.一种AMOLED像素单元驱动电路,用于驱动OLED,其特征在于,所述AMOLED像素单元驱动电路包括:
开关单元,第一输入端与提供充电电流的电流源连接,第二输入端与OLED连接;
存储电容,第一端与所述开关单元的输出端连接,第二端连接到低电平;
驱动薄膜晶体管和电流镜薄膜晶体管,栅极均与存储电容的第一端连接,源极接到低电平;
以及分压薄膜晶体管,栅极与存储电容的第一端连接,源极与驱动薄膜晶体管的漏极连接,漏极与OLED连接;
所述开关单元,用于在第一时间段导通第一输入端到电流镜薄膜晶体管的漏极的通路以及第二输入端到驱动薄膜晶体管的漏极的通路,并断开第一输入端到驱动薄膜晶体管的漏极的通路以及第二输入端到电流镜薄膜晶体管的漏极的通路;
所述开关单元,还用于在第二时间段断开第一输入端到电流镜薄膜晶体管的漏极和驱动薄膜晶体管的漏极的通路,并断开第二输入端到电流镜薄膜晶体管的漏极和驱动薄膜晶体管的漏极的通路。
2.如权利要求1所述的AMOLED像素单元驱动电路,其特征在于,所述驱动薄膜晶体管的阈值电压、所述电流镜薄膜晶体管的阈值电压和所述分压薄膜晶体管的阈值电压相等。
3.如权利要求1或2所述的AMOLED像素单元驱动电路,其特征在于,所述开关单元包括第四开关元件、第五开关元件和第六开关元件,其中,
所述驱动薄膜晶体管的栅极与所述电流镜薄膜晶体管的栅极通过所述第五开关元件与所述电流源连接;
所述电流镜薄膜晶体管的漏极通过所述第四开关元件与所述电流源连接;
所述驱动薄膜晶体管的漏极通过所述第六开关元件与所述OLED连接;
所述第四开关元件,用于在第一时间段导通所述电流镜薄膜晶体管的漏极与所述电流源的连接,并在第二时间段断开所述电流镜薄膜晶体管的漏极与所述电流源的连接;
所述第五开关元件,用于在第一时间段导通所述驱动薄膜晶体管的栅极、所述电流镜薄膜晶体管的栅极与所述电流源的连接,并在第二时间段断开所述驱动薄膜晶体管的栅极、所述电流镜薄膜晶体管的栅极与所述电流源的连接;
所述第六开关元件,用于在第一时间段导通所述驱动薄膜晶体管的漏极与所述OLED的连接,并在第二时间段断开所述驱动薄膜晶体管的漏极与所述OLED的连接。
4.如权利要求3所述的AMOLED像素单元驱动电路,其特征在于,所述驱动薄膜晶体管、所述电流镜薄膜晶体管、所述分压薄膜晶体管、所述第四开关元件、所述第五开关元件和所述第六开关元件为n型TFT。
5.一种AMOLED像素单元驱动方法,其应用于如权利要求1所述的AMOLED像素单元驱动电路,其特征在于,包括以下步骤:
像素充电步骤:导通提供充电电流的电流源到电流镜薄膜晶体管的漏极的通路,并且导通OLED到驱动薄膜晶体管的漏极的通路,控制所述电流源对存储电容进行充电,并且控制所述电流源提供的充电电流分为两路分别流过驱动薄膜晶体管和电流镜薄膜晶体管;
驱动OLED发光显示步骤:通过分压薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管驱动OLED发光显示。
6.一种AMOLED像素单元,其特征在于,包括OLED和如权利要求1至4中任一权利要求所述的AMOLED像素单元驱动电路,所述AMOLED像素单元驱动电路与所述OLED的阴极连接,所述OLED的阳极与输出电压为VDD的电源线连接。
7.一种显示装置,其特征在于,包括多个如权利要求6所述的AMOLED像素单元。
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