[发明专利]晶圆的形成方法

权利要求书

1.一种晶圆的形成方法，其特征在于，包括：

提供晶舟，将多片晶圆放置在所述晶舟上；

将放置有所述晶圆的晶舟放置到退火装置内；

动态地调整所述退火装置的升温速率，在达到退火温度后对所述晶圆进行退火处理。

2.如权利要求1所述的晶圆的形成方法，其特征在于，所述动态地调整退火装置的升温速率包括：当退火装置的温度为750℃-1000℃时，所述退火装置的升温速率小于等于7℃/min；当退火装置的温度为1000℃-1100℃时，所述退火装置的升温速率小于等于3℃/min；当退火装置的温度为1100℃-1150℃时，所述退火装置的升温速率小于等于2℃/min；当退火装置的温度为1150℃-1200℃时，所述退火装置的升温速率小于等于0.5℃/min。

3.如权利要求1或2所述的晶圆的形成方法，其特征在于，所述退火温度为1150℃-1200℃，退火气体采用氩气或氮气，退火处理的时间大于0.5小时。

4.如权利要求1或2所述的晶圆的形成方法，其特征在于，采用的所述晶舟包括至少3个支撑部件，每个所述支撑部件内形成有多个相互平行且等距的晶圆槽，所述晶圆放置于晶圆槽内。

5.如权利要求4所述的晶圆的形成方法，其特征在于，相邻的所述晶圆槽之间的距离大于6.35mm。

6.如权利要求4所述的晶圆的形成方法，其特征在于，所述相邻两个晶圆槽之间的距离为7mm～9mm。

7.如权利要求4所述的晶圆的形成方法，其特征在于，所述晶圆槽的下表面与晶圆的接触面的面积大于2cm²。

8.如权利要求1所述的晶圆的形成方法，其特征在于，所述退火装置的升温速率通过调整所述退火装置的功率来实现。

9.如权利要求1所述的晶圆的形成方法，其特征在于，所述退火装置为炉管。