[发明专利]半导体结构及其制作方法、MOS晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括步骤：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极，所述栅极侧壁形成有偏移侧墙，所述偏移侧墙包括与栅极侧壁接触的第一氧化硅层和位于第一氧化硅层外侧的第一氮化硅层；

在所述偏移侧墙外侧形成主侧墙，所述主侧墙包括位于第一氮化硅层外侧的第二氧化硅层和位于第二氧化硅层外侧的第二氮化硅层；

利用第一刻蚀溶液刻蚀去除所述主侧墙的第二氮化硅层；

利用第二刻蚀溶液刻蚀去除部分厚度的第一氮化硅层；

利用第三刻蚀溶液去除所述主侧墙的第二氧化硅层；

在半导体衬底、栅极、偏移侧墙上形成应力层。

2.如权利要求1所述半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一刻蚀溶液包含有氮化硅颗粒和磷酸；所述磷酸的浓度为80％～85％。

3.如权利要求1或2所述半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一刻蚀溶液对所述氮化硅和氧化硅的刻蚀选择比为650∶1～800∶1。

4.如权利要求1所述半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第二刻蚀溶液为磷酸，浓度为80％～85％。

5.如权利要求1或4所述半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第二刻蚀溶液对氮化硅和氧化硅的刻蚀选择比为50∶1～70∶1。

6.如权利要求1所述半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第三刻蚀溶液为稀释氢氟酸，所述稀释氢氟酸中水和氢氟酸体积比例为200∶1～500∶1。

7.如权利要求1或6所述半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第三刻蚀溶液对氧化硅和氮化硅的刻蚀选择比为20∶1～30∶1。

8.如权利要求1所述半导体结构的制作方法，其特征在于，所述去除部分厚度的第一氮化硅层为去除原厚度的1/2～6/7。

9.一种半导体结构，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的栅极；位于所述栅极两侧的偏移侧墙，所述偏移侧墙包括与栅极侧壁接触的第一氧化硅层和位于第一氧化硅层外侧的第一氮化硅层；位于所述半导体衬底、栅极、偏移侧墙上的应力层，其特征在于，所述第一氮化硅层的高度低于栅极的高度。

10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述第一氮化硅层的高度是所述栅极的高度的1/7～1/2。

11.一种MOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括步骤：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极，所述栅极侧壁形成有偏移侧墙，所述偏移侧墙包括与栅极侧壁接触的第一氧化硅层和位于第一氧化硅层外侧的第一氮化硅层；

以所述栅极、偏移侧墙为掩膜，向所述半导体衬底内注入离子，形成源/漏极延伸区；

在所述偏移侧墙外侧形成主侧墙，所述主侧墙包括位于第一氮化硅层外侧的第二氧化硅层和位于第二氧化硅层外侧的第二氮化硅层；

以所述栅极、偏移侧墙、主侧墙为掩膜，向所述半导体衬底内注入离子，形成源/漏区；

利用第一刻蚀溶液刻蚀去除所述主侧墙的第二氮化硅层；

利用第二刻蚀溶液刻蚀去除部分厚度的第一氮化硅层；

利用第三刻蚀溶液去除所述主侧墙的第二氧化硅层；

在半导体衬底、栅极、偏移侧墙上形成应力层。

12.如权利要求11所述MOS晶体管的制作方法的制作方法，其特征在于，所述第一刻蚀溶液为包含有氮化硅颗粒和磷酸；所述磷酸的浓度为80％～85％。

13.如权利要求11或12所述MOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述第一刻蚀溶液对所述氮化硅和氧化硅的刻蚀选择比为650∶1～800∶1。

14.如权利要求11所述MOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述第二刻蚀溶液为磷酸，浓度为80％～85％。

15.如权利要求11或14所述MOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述第二刻蚀溶液对氮化硅和氧化硅的刻蚀选择比为50∶1～70∶1。

16.如权利要求11所述MOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述第三刻蚀溶液为稀释氢氟酸，所述稀释氢氟酸中水和氢氟酸体积比例为200∶1～500∶1。