[发明专利]有机薄膜晶体管阵列基板及其制作方法和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，特别是指一种有机薄膜晶体管阵列基板及其制作方法和显示装置。

背景技术

有机薄膜晶体管(OTFT)是采用有机半导体为有源层的逻辑单元器件，具有适合大面积加工、适用于柔性基板、工艺成本低等优点，在平板显示、传感器、存储卡、射频识别标签等领域显现出应用前景。因此，有机薄膜晶体管的研究与开发在国际上受到广泛关注。

现有技术中一般采用构图工艺制作有机薄膜晶体管阵列基板，每次构图工艺均需要把掩模板图形转移到薄膜图形上，而每一层图形都需要精确的覆盖在另一层薄膜图形上。现在一般都是采用五次以上的构图工艺来制作有机薄膜晶体管阵列基板，这样用到的掩模板数量比较多，生产效率较低，生产成本较低。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种有机薄膜晶体管阵列基板及其制作方法和显示装置，能够提高有机薄膜晶体管阵列基板的生产效率，降低生产成本。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：

一方面，提供一种有机薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括：

通过第一次构图工艺在透明基板上形成包括源电极、漏电极、数据线和像素电极的图形；

通过第二次构图工艺在经过所述第一次构图工艺的透明基板上形成包括有机半导体图案、栅绝缘层图案、栅电极和栅线的图形；

在经过所述第二次构图工艺的透明基板上沉积钝化层，通过第三次构图形成包括数据线接口、栅线接口和像素接口的图形；

通过第四次构图工艺在经过所述第三次构图工艺的透明基板上形成公共电极的图形。

优选地，所述通过第一次构图工艺在透明基板上形成包括源电极、漏电极、数据线和像素电极的图形包括：

在透明基板上依次沉积第一透明导电层、第一金属层和光刻胶，进行曝光显影工艺之后进行刻蚀，形成沟道，对所述光刻胶进行灰化工艺之后再进行刻蚀，形成包括由所述第一金属层构成的源电极、漏电极、数据线以及由第一透明导电层构成的像素电极的图形。

优选地，所述通过第二次构图工艺在经过所述第一次构图工艺的透明基板上形成包括有机半导体图案、栅绝缘层图案、栅电极和栅线的图形包括：

在经过所述第一次构图工艺的透明基板上沉积有机半导体层；

在上述透明基板上涂布栅绝缘层；

在上述透明基板上沉积第二金属层；

在上述透明基板上涂布光刻胶，进行曝光显影工艺之后进行刻蚀，形成包括由所述有机半导体层构成的有机半导体图案、由栅绝缘层构成的栅绝缘层图案、由所述第二金属层构成的栅电极和栅线的图形。

进一步地，所沉积的有机半导体层厚度为30-150nm。

优选地，所沉积的有机半导体层厚度为50nm。

进一步地，所沉积的有机半导体层为酞菁氧钒有机半导体层。

进一步地，所沉积的栅绝缘层在60～100℃前烘5-25min，100-180℃后烘5-25min，所述栅绝缘层的厚度为250-600nm。

优选地，所沉积的栅绝缘层在100℃前烘20min，130℃后烘20min，所述栅绝缘层的厚度为550nm。

进一步地，所沉积的栅绝缘层为聚乙烯苯酚绝缘层。

进一步地，所沉积的第二金属层为采用Mo。

本发明还提供一种有机薄膜晶体管阵列基板，包括：

透明基板；

分布在上述透明基板上的像素电极；

分布在上述透明基板上的源电极、漏电极和数据线；

分布在上述透明基板上的有机半导体图案；

分布在上述透明基板上的栅绝缘层图案；

分布在上述透明基板上的栅电极和栅线；

分布在上述透明基板上的钝化层以及由钝化层形成的数据线接口、栅线接口和像素接口；

分布在上述透明基板上的公共电极。

进一步地，所述有机半导体图案的厚度为30-150nm。

优选地，所述有机半导体图案的厚度为50nm。

进一步地，所述有机半导体图案为采用酞菁氧钒有机半导体。

进一步地，所述栅绝缘层的厚度为250-600nm。

优选地，所述栅绝缘层的厚度为550nm。

进一步地，所述栅绝缘层为聚乙烯苯酚绝缘层。

本发明还提供一种显示装置，包括上述的有机薄膜晶体管阵列基板。

本发明的实施例具有以下有益效果：