[发明专利]Ⅲ-Ⅴ族晶圆可重复进行磊晶制程的方法与构造

权利要求书

1.一种III-V族晶圆可重复进行磊晶制程的方法，其特征在于，该方法包含以下步骤：

提供一III-V族晶圆，具有一正面与一背面；

进行第一次磊晶制程，使磊晶结构形成于该正面上，其中该磊晶结构包含镭射吸收层与组件作动层；

压贴转换基板于该磊晶结构上；

由该背面照射一镭射光，其中该镭射光为具有一特定波长，以使该III-V族晶圆相对于该镭射光为透明并以该镭射吸收层吸收该镭射光而分解；以及剥离出该III-V族晶圆，使其与已结合上该组件作动层的该转换基板相分离。

2.根据权利要求1所述的III-V族晶圆可重复进行磊晶制程的方法，其特征在于，在前述剥离步骤之后，另包含的步骤为：进行第二次磊晶制程，使另一与前述磊晶结构相同的磊晶结构形成于该正面上，其中该另一磊晶结构也包含一镭射吸收层与一组件作动层。

3.根据权利要求1所述的III-V族晶圆可重复进行磊晶制程的方法，其特征在于，其中该组件作动层的表面形成有第一接合层，该转换基板的表面形成有第二接合层，并且在前述压贴步骤之中，藉由该第一接合层与该第二结合层的结合，以结合该组件作动层与该转换基板。

4.根据权利要求3所述的III-V族晶圆可重复进行磊晶制程的方法，其特征在于，其中该第一接合层与该第二结合层为具可见光反射特性的金属材质，该第一接合层与该第二结合层之间为金属键合。

5.根据权利要求1、2、3或4任一项所述的III-V族晶圆可重复进行磊晶制程的方法，其特征在于，其中该镭射光的波长大于0.9μm。

6.根据权利要求5所述的III-V族晶圆可重复进行磊晶制程的方法，其特征在于，其中该镭射吸收层依该III-V族晶圆的晶格生成在该正面上，并且该III-V族晶圆的材质为砷化镓GaAs，而该镭射吸收层的材质为选自于砷化铟镓Ga_xIn_1-xAs与锑化铟镓Ga_xIn_1-xSb的其中之一，其中在该镭射吸收层的材质中代表镓含量的X值低于0.89。

7.根据权利要求6所述的III-V族晶圆可重复进行磊晶制程的方法，其特征在于，其中该镭射光的波长介于0.946μm～1.064μm之间，在该镭射吸收层的材质中代表镓含量的X值介于0.89～0.74之间。

8.一种III-V族晶圆可重复进行磊晶制程的结构，其特征在于，该结构包含：

一III-V族晶圆，具有一正面与一背面；以及

一磊晶结构，形成于该正面上，其中该磊晶结构为包含一镭射吸收层与一组件作动层，该镭射吸收层依该III-V族晶圆的晶格生成在该正面上。

9.根据权利要求8所述的III-V族晶圆可重复进行磊晶制程的结构，其特征在于，另包含一转换基板，压贴于该磊晶结构上。

10.根据权利要求9所述的III-V族晶圆可重复进行磊晶制程的结构，其特征在于，另包含一形成于该组件作动层的第一接合层与一形成于该转换基板的第二结合层，以结合该组件作动层与该转换基板，其中该第一接合层与该第二结合层为具可见光反射特性的金属材质，该第一接合层与该第二结合层之间为金属键合。