[发明专利]一种半导体制冷或制热模块及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体制冷或制热模块的制作方法，包括采用N型半导体和P型半导体作为制冷或制热元件，其特征在于：将每个N型半导体和P型半导体分别间隔地、不相互接触地设置在第一绝缘陶瓷片与第二绝缘陶瓷片之间，在第一绝缘陶瓷片上固定上至少1块导电金属片，在第二绝缘陶瓷片上固定上至少2块导电金属片，即固定在第二绝缘陶瓷片上的导电金属片比固定在第一绝缘陶瓷片上的导电金属片多1片，在第一绝缘陶瓷片上的每块导电金属片上都固定上1个N型半导体和1个P型半导体，并且将固定在第一绝缘陶瓷片上同一块导电金属片上的N型半导体和P型半导体的另一端分别固定在第二绝缘陶瓷片上的不同的导电金属片上，并使固定在导电金属片上的N型半导体和P型半导体能通过导电金属片连接通电；将与直流电源的正负极连接的连接端分别设置在第二绝缘陶瓷片上的导电金属片上。

2.一种半导体制冷或制热模块，包括N型半导体（4）和P型半导体（5），其特征在于：每个N型半导体（4）和P型半导体（5）都分别间隔地、不相接触地设置在第一绝缘陶瓷片（1）与第二绝缘陶瓷片（2）之间，在第一绝缘陶瓷片（1）上固定有至少1块导电金属片（3），在第二绝缘陶瓷片（2）上固定有至少2块导电金属片（3），并且固定在第二绝缘陶瓷片（2）上的导电金属片（3）比固定在第一绝缘陶瓷片（1）上的导电金属片（3）多1片，在第一绝缘陶瓷片（1）上的每块导电金属片（3）上都连接固定有1个N型半导体（4）和1个P型半导体（5），并且固定在第一绝缘陶瓷片（1）上同一块导电金属片（3）上的N型半导体（4）和P型半导体（5）的另一端分别固定在第二绝缘陶瓷片（2）上的不同的导电金属片（3）上；与直流电源（E）的正负极连接的连接端分别设置在第二绝缘陶瓷片（2）上的导电金属片（3）上。

3.根据权利要求2所述的半导体制冷或制热模块，其特征在于：在与直流电源（E）的正负极连接的导电金属片（3）之间排列有1～1000排由N型半导体（4）和P型半导体（5）组成的半导体阵列，每排的N型半导体（4）或P型半导体（5）的数量不超过1000个，并且每排的N型半导体（4）和P型半导体（5）的数量相同；每排的每个N型半导体（4）和P型半导体（5）分别通过第一绝缘陶瓷片（1）和第二绝缘陶瓷片（2）上的导电金属片（3）首尾相连地相互串联在与直流电源（E）的正负极连接的导电金属片（3）之间。

4.根据权利要求2或3所述的半导体制冷或制热模块，其特征在于：固定在第一绝缘陶瓷片（1）或第二绝缘陶瓷片（2）上的导电金属片（3）的数量大于或等于2时，每块导电金属片（3）都相互绝缘、互不接触。

5.根据权利要求2或3所述的半导体制冷或制热模块的制作方法，其特征在于：连接在与直流电源（E）的正极连接的导电金属片（3）上的半导体与连接在与直流电源（E）的负极连接的导电金属片（3）上的半导体不同，即当连接在与直流电源（E）的正极连接的导电金属片（3）上的半导体为N型半导体（4）时，连接在与直流电源（E）的负极连接的导电金属片（3）上的半导体为P型半导体（5）；当连接在与直流电源（E）的正极连接的导电金属片（3）上的半导体为P型半导体（5）时，连接在与直流电源（E）的负极连接的导电金属片（3）上的半导体为N型半导体（4）。

6.根据权利要求2或3所述的半导体制冷或制热模块，其特征在于：N型半导体（4）或P型半导体（5）的形状为矩形柱状结构、圆柱形柱状结构或由双圆锥体顶端相互连接组成的柱状结构（即沙漏计时器外形结构）。