[发明专利]用于制备薄层的方法和系统无效

专利信息
申请号: 201110249516.6 申请日: 2011-07-06
公开(公告)号: CN102374944A 公开(公告)日: 2012-03-14
发明(设计)人: D·伯格斯拉夫斯基;C·史密斯 申请(专利权)人: 卡姆特有限公司
主分类号: G01N1/28 分类号: G01N1/28
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 王朝辉
地址: 以色列米格*** 国省代码: 以色列;IL
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 用于 制备 薄层 方法 系统
【说明书】:

相关申请

本申请要求提交日期为2010年7月6日的美国临时专利序列号为61/361,538的优先权,在此引用全文作为参考。

技术领域

本发明涉及用于为透射电子显微镜制备样品的方法和系统。

背景技术

透射电子显微镜(TEM)是通过电子束透射穿过薄样品并且在其通过时与样本相互作用的技术。通过电子透射穿过样本的相互作用能够形成高分辨率图像。薄样品可以具有几纳米的厚度。

存在用于为透射电子显微镜提供产生薄样品的方法和系统的增长性需求。

发明内容

根据本发明的一个实施例,可以提供一种方法,该方法可以包括(a)通过操纵器接纳掩模和样品;(b)通过操纵器将掩模和样品定位于成像装置前使得掩模和样品的表面面向成像装置;(c)通过操纵器对准掩模和样品使得掩模覆盖样品的第一被掩模部分同时保持样品的第一暴露部分不被覆盖;其中对准可以包括通过成像装置获取掩模和样品的表面的图像;(d)通过操纵器将掩模和样品定位于离子减薄机前使得掩模和样品的表面面向离子减薄机,同时不改变掩模和样品之间的空间关系;(e)通过离子减薄机研磨样品的第一暴露部分直到暴露薄层的第一侧壁,同时用掩模覆盖第一被掩模部分;(f)通过操纵器将掩模和样品定位于离子减薄机前使得掩模覆盖样品的第二被掩模部分同时保持样品的第二暴露部分不被覆盖;其中第二被掩模部分可以包括在研磨样品的第一暴露部分期间所形成的空间和薄层;(g)通过离子减薄机研磨样品的第二暴露部分直到暴露薄层的第二侧壁以提供可以包括第一和第二侧壁的薄层,同时用掩模覆盖第二被掩模部分;(h)通过所述离子减薄机去除薄层的两个侧面的物质;和从样品中分离薄层。

该方法可以包括通过操纵器对准掩模和样品使得掩模覆盖样品的第二被掩模部分同时保持样品的第二暴露部分不被覆盖;其中对准可以包括通过成像装置获取掩模和样品的表面的图像;和通过操纵器将掩模和样品定位于离子减薄机前使得掩模和样品的表面面向离子减薄机,同时不改变掩模和样品之间的空间关系。

研磨样品的第一暴露部分直到暴露薄层的第一侧壁后可以通过旋转掩模使得掩模覆盖样品的第二被掩模部分同时保持样品的第二暴露部分不被覆盖。

研磨样品的第一暴露部分直到暴露薄层的第一侧壁后可以通过旋转样品使得掩模覆盖样品的第二被掩模部分同时保持样品的第二暴露部分不被覆盖。

去除薄层的两个侧面的物质可以包括:(a)通过离子减薄机研磨薄层的第一侧面的物质同时用掩模覆盖薄层;(b)通过操纵器移动掩模和样品中的至少一个以便用掩模覆盖薄层同时暴露薄层的第二侧面的物质;和(c)通过离子减薄机研磨薄层的第二侧面的物质同时用掩模覆盖薄层。

成像装置的光轴可以垂直于研磨工具的光轴。通过操纵器将掩模和样品定位于离子减薄机前可以包括通过操纵器旋转掩模和样品。

研磨可以包括在绕离子减薄机的光轴旋转研磨束的同时进行研磨。

第一和第二侧壁之间的距离不超过50纳米。

可以提供一种用于制备薄层的系统。根据本发明的实施例,该系统可以包括操纵器、成像装置、离子减薄机和薄层提取器。操纵器可以被设置成:(a)接纳掩模和样品;将掩模和样品定位于成像装置前使得掩模和样品的表面面向成像装置;(b)辅助对准掩模和样品使得掩模覆盖样品的第一被掩模部分同时保持样品的第一暴露部分不被覆盖;(c)将掩模和样品定位于离子减薄机前使得掩模和样品的表面面向离子减薄机,同时不改变掩模和样品之间的空间关系。离子减薄机可以被设置成研磨样品的第一暴露部分直到暴露薄层的第一侧壁,同时用掩模覆盖第一被掩模部分。操纵器可以进一步被设置成将掩模和样品定位于离子减薄机前使得掩模覆盖样品的第二被掩模部分,同时保持样品的第二暴露部分不被覆盖;其中第二被掩模部分可以包括在研磨样品的第一暴露部分期间所形成的空间和薄层。离子减薄机可以被设置为:(a)研磨样品的第二暴露部分直到暴露薄层的第二侧壁以提供可以包括第一和第二侧壁的薄层;和(b)去除薄层的两个侧面的物质。薄层提取器可以被设置为从样品中分离薄层。成像装置可以被设置为在掩模和样品的对准期间获取掩模和样品的表面的图像。

操纵器进一步被设置为:(a)辅助对准掩模和样品使得掩模覆盖样品的第二被掩模部分,同时保持样品的第二暴露部分不被覆盖;和(b)将掩模和样品定位于离子减薄机前使得掩模和样品的表面面向离子减薄机,同时不改变掩模和样品之间的空间关系。

操纵器可以被设置为,在离子减薄机暴露薄层的第一侧壁后,旋转掩模使得掩模覆盖样品的第二被掩模部分同时保持样品的第二暴露部分不被覆盖。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于卡姆特有限公司,未经卡姆特有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110249516.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top