[发明专利]CVD反应腔及CVD设备

权利要求书

1.一种化学气相沉积CVD反应腔，其特征在于，包括：

反应腔室；

多个托盘，所述多个托盘位于所述反应腔室之内，且所述多个托盘呈间隔排列；

设置在所述反应腔室外壁的第一加热装置；和

设置在所述反应腔室之内的第二加热装置，所述第二加热装置的加热功率小于所述第一加热装置的加热功率。

2.根据权利要求1所述的CVD反应腔，其特征在于，还包括：

进气装置，所述进气装置位于所述反应腔室中心轴处，且所述进气装置具有多个第一排气孔。

3.根据权利要求2所述的CVD反应腔，其特征在于，所述第一加热装置包括：

设置在所述反应腔室外壁上的多个第一感应线圈。

4.根据权利要求3所述的CVD反应腔，其特征在于，所述第二加热装置包括：

设置在所述进气装置和所述多个托盘之间的多个第二感应线圈。

5.根据权利要求4所述的CVD反应腔，其特征在于，还包括：

磁场屏蔽部件，所述磁场屏蔽部件设置在所述第二感应线圈和所述进气装置之间，且所述磁场屏蔽部件具有多个第二排气孔，所述多个第二排气孔分别与所述多个第一排气孔对应。

6.根据权利要求5所述的CVD反应腔，其特征在于，所述磁场屏蔽部件为筒状，且所述磁场屏蔽部件套设在所述进气装置的外部。

7.根据权利要求5所述的CVD反应腔，其特征在于，如果所述第二感应线圈通入的交流电频率小于500Hz，则所述磁场屏蔽部件为高导磁材料，如果所述第二感应线圈通入的交流电频率大于或等于500Hz，则所述磁场屏蔽部件为高导电材料。

8.根据权利要求3所述的CVD反应腔，其特征在于，所述第二加热装置包括：

设置在所述进气装置和所述多个托盘之间的多个加热电阻。

9.一种CVD设备，其特征在于，包括：

CVD反应腔，所述CVD反应腔为如权利要求1-8任一项所述的CVD反应腔；

第一加热控制器，所述第一加热控制器与所述第一加热装置相连，所述第一加热控制器控制所述第一加热装置以第一加热功率加热；和

第二加热控制器，所述第二加热控制器与所述第二加热装置相连，所述第二加热控制器控制所述第二加热装置以第二加热功率加热，其中，所述第一加热功率大于所述第二加热功率。