[发明专利]一种超短波导负载有效
| 申请号： | 201110250628.3 | 申请日： | 2011-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN102377003A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 杨晓峰;周友兵;王兴 | 申请（专利权）人： | 武汉凡谷电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01P1/26 | 分类号： | H01P1/26 |
| 代理公司： | 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 | 代理人： | 黄行军 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 超短 波导 负载 | ||
【权利要求书】：
1.一种超短波导负载，包括法兰盘和负载吸收片，其特征在于：所述法兰盘中部设有凹槽，所述负载吸收片位于凹槽的底部，负载吸收片的厚度小于凹槽的深度，所述负载吸收片与法兰盘的外端面之间的空腔构成波导腔。
2.根据权利要求1所述的超短波导负载，其特征在于：所述负载吸收片的底部与所述凹槽的底部粘合在一起。
3.根据权利要求1或2所述的超短波导负载，其特征在于：所述法兰盘为方形金属块。
4.根据权利要求3述的超短波导负载，其特征在于：所述凹槽和负载吸收片为圆形。
5.根据权利要求3述的超短波导负载，其特征在于：所述法兰盘端面的凹槽的外侧设有防水槽，防水槽中设有防水密封圈。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉凡谷电子技术股份有限公司，未经武汉凡谷电子技术股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110250628.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：单据处理装置
- 下一篇：半导体元器件制造过程中的显影方法
