[发明专利]一种基于金属纳米粒子催化的硅片减薄方法有效
| 申请号： | 201110251150.6 | 申请日： | 2011-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN102354661A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 李美成;白帆;任霄峰;余航 | 申请（专利权）人： | 华北电力大学 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 黄家俊 |
| 地址： | 102206 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 金属 纳米 粒子 催化 硅片 方法 | ||
1.一种基于金属纳米粒子催化的硅片减薄方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：
a.硅片预处理：将硅片清洗并真空干燥，得到清洁的硅表面；
b.减薄液配制：配制硝酸银、双氧水和氢氟酸的混合溶液作为减薄液，所述减薄液中：溶剂为水，硝酸银浓度为0.01～0.05mol/L，HF浓度为3.5～6mol/L，H2O2浓度为3～6mol/L，将配制好的减薄液放入水浴中；
c.硅片减薄：把预处理后的硅片浸入减薄液中，减薄完成后，将硅片用去离子水或超纯水冲洗；
d.去除硅片表面残余银；
e.将硅片真空干燥。
2.根据权利要求1所述的硅片减薄方法，其特征在于：步骤a所述清洗的方法为：在丙酮中超声清洗，用去离子水或超纯水冲洗；然后用CP-4A溶液清洗；再用氢氟酸清洗，用去离子水或超纯水冲洗。
3.根据权利要求1所述的硅片减薄方法，其特征在于：步骤d中所述去除硅片表面残余银的方法为：将硅片用浓硝酸浸泡，然后用去离子水或超纯水冲洗干净。
4.根据权利要求1、2或3所述的硅片减薄方法，其特征在于：所述去离子水及超纯水的电阻率在16MΩ·cm以上。
5.根据权利要求2所述的硅片减薄方法，其特征在于：所述CP-4A溶液由HF溶液、HNO3溶液、无水乙醇、H2O按3∶5∶3∶22的体积比配制而成，其中，HNO3溶液的质量分数为65％～68％，HF溶液的质量分数为40％。
6.根据权利要求2所述的硅片减薄方法，其特征在于，步骤a中所述氢氟酸的浓度为7.3mol/L。
7.根据权利要求1所述的硅片减薄方法，其特征在于：步骤b中所述水浴的温度为20～50℃。
8.根据权利要求3所述的硅片减薄方法，其特征在于：步骤d中所述浓硝酸的质量分数为65％～68％，浸泡时间为3～5min。
9.根据权利要求1所述的硅片减薄方法，其特征在于：所述硅片为(100)或者(111)取向单晶硅片。
10.根据权利要求9所述的硅片减薄方法，其特征在于：所述(100)取向单晶硅片电阻率在7～13Ω·cm，所述(111)取向单晶硅片电阻率在8～13Ω·cm。
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