[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法

说明书

本申请要求于2010年10月5日在韩国知识产权局提交的第10-2010-0096913号韩国专利申请的权益，该申请的内容通过引用被完全包含于此。

技术领域

本发明涉及有机发光显示装置及其制造方法。

背景技术

有机发光显示装置通常是重量轻且薄的，并具有宽视角、短的响应时间和降低的功耗，因此作为下一代显示装置引起极大关注。

发明内容

本发明的一个或更多个实施例提供了具有优异的信号传输特性和优异的开口率的有机发光显示装置及简化的制造该有机发光显示装置的方法。

根据本发明的一方面，提供了一种有机发光显示装置，该有机发光显示装置包括：底电容器电极和薄膜晶体管的有源层，形成在基底的上方，其中，底电容器电极包括与有源层形成在同一层并掺杂有离子杂质的半导体材料；第一绝缘层，形成在基底的上方，以覆盖有源层和底电容器电极；栅电极，形成在第一绝缘层的上方，其中，栅电极包括顺序地堆叠在第一绝缘层上的第一栅电极和第二栅电极，第一栅电极包括透明导电材料，第二栅电极包括金属；像素电极和顶电容器电极，其中，像素电极形成在第一绝缘层上方，像素电极包括透明导电材料，顶电容器电极与像素电极形成在同一层，顶电容器电极包括透明导电材料；薄膜晶体管的源电极和漏电极，电连接到有源层；第二绝缘层，形成在第一绝缘层与源电极之间以及第一绝缘层与漏电极之间，并包括暴露整个顶电容器电极的第一接触孔和暴露整个像素电极的第二接触孔中的至少一个；第三绝缘层，形成在第二绝缘层上方，并暴露像素电极；发射层，形成在像素电极的上方；以及对电极，设置成面对像素电极，其中，发射层设置在像素电极和对电极之间。

第一栅电极、像素电极和顶电容器电极可包括相同的透明导电材料。

在顶电容器电极的外侧与第一接触孔的内侧壁之间可形成有间隙。

在所述间隙中可设置有第三绝缘层。

连接到底电容器电极的电容器导线可与底电容器电极形成在同一层，其中，电容器导线包括掺杂有离子杂质的半导体材料。

底电容器电极与电容器导线之间的连接部可掺杂有离子杂质。

所述连接部可对应于形成在顶电容器电极的外侧与第一接触孔之间的间隙的位置。

在像素电极的外侧与第二接触孔的内侧壁之间可形成有间隙。

第三绝缘层可包括有机绝缘材料。

有源层可包括掺杂有离子杂质的半导体材料。

半导体材料可包括非晶硅或结晶硅。

对电极可以是反射从发射层发射的光的反射电极。

在基底与第一绝缘层之间可设置有折射率与第一绝缘层的折射率不同的至少一个绝缘层。

根据本发明的另一方面，提供了一种制造有机发光显示装置的方法，该方法包括：第一掩模操作，包括在基底的上方形成半导体层并将半导体层图案化，以形成底电容器电极和薄膜晶体管的有源层；第二掩模操作，包括在基底的上方形成第一绝缘层以覆盖有源层和底电容器电极，在第一绝缘层上顺序地堆叠透明导电材料和第一金属，并将透明导电材料和第一金属图案化，从而同时形成像素电极、顶电容器电极和薄膜晶体管的栅电极，其中，在像素电极中顺序地堆叠有透明导电材料和第一金属；第三掩模操作，包括在第二掩模操作的所得产品上形成第二绝缘层并将第二绝缘层图案化，以形成第一接触孔和第二接触孔中的至少一个以及第三接触孔，第一接触孔整个地暴露顶电容器电极，第二接触孔整个地暴露像素电极，第三接触孔至少部分地暴露有源层的源区和漏区；第四掩模操作，包括在第三掩模操作的所得产品上形成第二金属，将第二金属图案化以形成分别接触暴露的源区和漏区的源电极和漏电极，并去除形成在像素电极和顶电容器电极上的第一金属；以及第五掩模操作，包括在第四掩模操作的所得产品上形成第三绝缘层，其中，第三绝缘层暴露像素电极的透明导电材料。

附图说明

通过参照附图详细描述本发明的特定实施例，本发明的以上和其他特征及优点将变得更加明显，在附图中：

图1是示出根据本发明实施例的有机发光显示装置的剖视图；

图2是示出根据本发明对比例的有机发光显示装置的剖视图；

图3A是示出根据本发明实施例的有机发光显示装置的像素区域的平面图；

图3B是示出根据本发明对比例的有机发光显示装置的像素区域的平面图；

图4A是示出根据本发明实施例的有机发光显示装置的像素区域的剖视图；

图4B是示出根据本发明对比例的有机发光显示装置的像素区域的剖视图；