[发明专利]一种硫化钇纳米带的制备方法

权利要求书

1.一种硫化钇纳米带的制备方法，其特征在于，采用静电纺丝技术与硫化技术相结合的方法，使用聚乙烯吡咯烷酮PVP为高分子模板剂，采用N，N-二甲基甲酰胺DMF为溶剂，硫化试剂使用二硫化碳CS₂，制备产物为硫化钇Y₂S₃纳米带，其步骤为：

(1)制备Y₂O₃纳米带

称取一定量的氧化钇Y₂O₃，用稀硝酸溶解后蒸发，得到Y(NO₃)₃晶体，加入适量的DMF溶剂，再称取一定量的PVP加入到上述溶液中，于室温下磁力搅拌3h，并静置2h，即形成纺丝液，该纺丝液各组成部分的质量百分数为：硝酸钇含量10％，PVP含量20％，溶剂DMF含量70％，将配制好的纺丝液加入纺丝装置的储液管中，进行静电纺丝，喷头内径1mm，采用竖喷方式，喷头与水平面垂直，施加8kV的直流电压，固化距离15cm，室温16～30℃，相对湿度为50％～70％，得到PVP/Y(NO₃)₃复合纳米带，将所述的PVP/Y(NO₃)₃复合纳米带放到程序控温炉中进行热处理，升温速率为1℃/min，在700℃恒温8h，以1℃/min的速率降温至200℃，之后随炉体自然冷却至室温，得到Y₂O₃纳米带；

(2)制备Y₂S₃纳米带

硫化试剂使用二硫化碳CS₂，将所述的Y₂O₃纳米带放入刚玉方舟中，方舟置于真空管式炉内，在室温时通入氩气Ar 30min，排出炉管内的空气，以5℃/min的加热速率升温至800℃时通入CS₂气体，保温2h，再以5℃/min的降温速率降至200℃，之后自然冷却至室温，得到Y₂S₃纳米带，带宽为2.26～3.22μm，厚度为165nm，长度大于100μm。

2.根据权利要求1所述的一种硫化钇纳米带的制备方法，其特征在于，钇源使用的是氧化钇。

3.根据权利要求1所述的一种硫化钇纳米带的制备方法，其特征在于，高分子模板剂为分子量Mr＝90000的聚乙烯吡咯烷酮。

4.根据权利要求1所述的一种硫化钇纳米带的制备方法，其特征在于，硫化试剂使用二硫化碳。