[发明专利]一种氯硼酸钡晶须的制备方法无效

专利信息
申请号: 201110251623.2 申请日: 2011-08-24
公开(公告)号: CN102296351A 公开(公告)日: 2011-12-28
发明(设计)人: 李武;朱东海;乃学瑛;卢会刚;刘鑫;宋爽洁;朱成财 申请(专利权)人: 中国科学院青海盐湖研究所
主分类号: C30B9/12 分类号: C30B9/12;C30B29/62;C30B29/10
代理公司: 兰州中科华西专利代理有限公司 62002 代理人: 李艳华
地址: 810008*** 国省代码: 青海;63
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摘要:
搜索关键词: 一种 硼酸 钡晶须 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及无机化工材料制备技术领域,尤其涉及一种氯硼酸钡晶须的制备方法。

背景技术

晶须是指以单晶形式生长的具有一定长径比(5~1000)的一种纤维材料,其直径非常小,所含的晶格缺陷少,原子高度有序,强度接近于完整晶体的理论值,作为塑料、金属、陶瓷等的改性增强材料时显示出优异的力学性能。氯硼酸钡(Ba2B5O9Cl)晶体具有很好的非线性光学性能,P.Held等(P.Held,J.Liebertz,L.Bohaty.Crystal structure of dibarium pentaborate chloride,Ba2B5O9Cl,Z.Kristallogr.NCS 217(2002)463-464)报道了Ba2B5O9Cl晶体的结构,指出该晶体属于正交晶系,空间群为Pnn2(No.34);潘世烈等(潘世烈,陈兆慧.大尺寸氯硼酸钡非线性光学晶体的制备方法和用途,CN201010553377.1)采用高温溶液法制备出大尺寸氯硼酸钡晶体,其非线性光学效应约为KDP(KH2PO4)的六倍。目前,尚未见到有关氯硼酸钡晶须制备及性能方面的报道。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种采用简单的工艺制备出纯度高、晶体结构完整的氯硼酸钡晶须的制备方法。

为解决上述问题,本发明所述的一种氯硼酸钡晶须的制备方法,包括以下步骤:

(1)将含钡化合物、含硼化合物和助熔剂混合均匀后研磨至粒度小于60目,得到混合物;其中所述含钡化合物中的Ba与所述含硼化合物中的B摩尔比为1∶2.5~4,所述含钡化合物和所述含硼化合物总质量之和与所述助熔剂的质量比为1∶1~3.5;

(2)将所述混合物置于高温炉中,以5~10℃/min的升温速率升温至690~750℃下,恒温加热4~15h后,自然冷却至室温,得到烧结物;

(3)将所述烧结物放入去离子水中,浸泡2~6小时后,依次经过滤、洗涤、干燥后,即得白色粉末状氯硼酸钡晶须。

所述步骤(1)中的含钡化合物为氯化钡、氢氧化钡、硝酸钡中的任何一种。

所述步骤(1)中的含硼化合物为硼砂、硼酸中的任何一种。

所述步骤(1)中的助熔剂为氯化钾、氯化钠中的任何一种。

本发明与现有技术相比具有以下优点:

1、本发明采用高温助熔剂法首次制得了氯硼酸钡晶须,不仅丰富了晶须的种类,同时对氯硼酸钡晶须的性能研究提供了基础。

2、采用本发明方法获得的氯硼酸钡晶须产品微观形貌较好、产品纯度高、收率高。对产物进行扫描电子显微镜(SEM)(日本JEOL公司生产的JSM-5610LV型扫描电子显微镜,加速电压20kV,工作距离20mm,束斑22,SEI)分析显示,可以发现本发明产品所得产物为长度3~15um、直径0.4~1um的晶须,都为晶须状(参见图2);经XRD衍射分析(荷兰帕纳科公司生产的X’Pert PRO型X-ray衍射仪,Cu靶,2θ=5°~80°,电流30mA,电压40kV),晶须分子式为Ba2B5O9Cl,与Ba2B5O9Cl标准衍射谱图(00-023-0815)对照,可以发现各峰位置吻合很好,无其它杂质峰存在(参见图1),说明晶须纯度较高,晶体结构完整。

3、由于本发明原料易得,因此制备成本较低。

4、本发明工艺简单、条件温和,易于工业化生产。

附图说明

下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。

图1为本发明制备的氯硼酸钡晶须的X射线粉末衍射(XRD)谱图。

图2为本发明制备的氯硼酸钡晶须的扫描电子显微镜(SEM)照片。

具体实施方式

实施例1一种氯硼酸钡晶须的制备方法,包括以下步骤:

(1)将6.11g含钡化合物——BaCl2·2H2O、5.96g含硼化合物——Na2B4O7·10H2O和12.07g助熔剂——KCl混合均匀后研磨至粒度小于60目,得到混合物。

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