[发明专利]一种制备肖特基结单面电极太阳能电池铝背电极的设备

权利要求书

1.一种制备肖特基结单面电极太阳能电池铝背电极的设备，包括连续式真空室、气路控制系统，电控系统、真空抽气系统、镀膜系统、激光系统等，其特征在于

镀膜系统采用溅射镀膜方式，用以在晶体硅表面均均布置铝电极材料；

激光掺杂室中激光系统位于真空室上方，可对真空室内晶体硅表面的电极进行选择性加热使其渗入晶体硅片中形成肖特基结；

激光系统位于激光烧结真空室正上方，可对真空室内的晶体硅表面的电极材料加热使其烧结成型；

分段可独立无级调速的传动系统，适应各段工艺不同的传送速度。

2.如权利要求1所述的一种制备肖特基结单面电极太阳能电池铝背电极的设备，其特征在于，进出片室、镀膜真空室和激光掺杂真空室、激光烧结真空室之间设置有缓冲室。

3.如权利要求1所述的一种制备肖特基结单面电极太阳能电池铝背电极的设备，其特征在于缓冲室、镀膜室、激光掺杂真空室、激光烧结室之中设有预热系统，可对基片加热。

4.如权利要求1及权利要求3所述的一种制备肖特基结单面电极太阳能电池铝背电极的设备，其特征在于其加热系统可以在缓冲室、镀膜室、激光掺杂室、激光烧结室内设置成不同温度，以模拟普通烧结设备的加热曲线。

5.如权利要求1及权利要求3所述的一种制备肖特基结单面电极太阳能电池铝背电极的设备，其特征在于加热系统范围在0-500℃可调。

6.如权利要求1所述的一种制备肖特基结单面电极太阳能电池铝背电极的设备，其特征在于镀膜系统采用卧式溅射镀膜系统。

7.如权利要求1所述的一种制备肖特基结单面电极太阳能电池铝背电极的设备，其特征在于采用专门设计的平板小车，以平稳传递晶体硅片。

8.如权利要求1所述的一种制备肖特基结单面电极太阳能电池铝背电极的设备，其特征在于传动系统与平板小车间为磨擦式传输，传送速度平稳均匀。

9.如权利要求1所述的一种制备肖特基结单面电极太阳能电池铝背电极的设备，其特征在于基片镀铝膜厚度控制在0.5-1.0μ之间。